模拟电子技术基础-黄瑞祥-课件-第4章-场效应管及其放大电路.pptVIP

4.3.3 集成电路中场效 应管放大器的偏置 3、电流源偏置电路： 由图4-3-6可见，T1和电阻R 决定了参考电流IREF。根据电 流源特性，由于T1、T2、T3的 VGS相同，且均为N-EMOSFET，则 T2、T3的漏极电压要求满足如下关系： VD2（或VD3） -VSS+VGS1-VGS(th) ， 才能保证T2、T3工作在饱和区。 4.3.3 集成电路中场效 应管放大器的偏置 3、电流源偏置电路： 对于T4、T5 ，由于 VGS电压相同，且均为 P沟道EMOSFET，则： 其中I4=I3。为了保证T5工作于饱和区，要求T5的漏极电压满足： 其中VSG(th)为P沟道EMOSFET的开启电压（或阈值电压）。 4.3.3 集成电路中场效 应管放大器的偏置 4、单管恒流源电路 利用FET可以实现具有恒流源 功能的电路，如图4-3-7所示 （图中为N-JFET）。具体见下一页例4-3-3。 它具有自动稳流功能。当漏极电流ID变化时，如ID增大，则源极电位VS升高，栅源电压VGS下降（负值增大），使漏极电流ID减小，即  自动稳流 图4-3-7 JFET单管恒流源电路 例4-3-3，已知JFET的IDSS=5mA，VGS(off)=-2V，忽略沟道长度调制效应，设计一个电流为ID=2mA的电流源（如图4-3-7所示） 解：由JFET的伏安特性（式4-2-3）可知： 求得VGS1=-3.264V，VGS2=-0.736V， 由于VGS1=-3.264V VGS(off)，不合题意，舍去。 ∴ VGS2=-0.736V 又根据源极电压可知 VGS=VG-VS= -IDRS 如果将上述电路做成一个器件，就成为恒流二极管，电源电压在几伏到十几伏之间变化时，电流基本保持不变。 图4-3-7 JFET单管恒流源电路 4.4 场效应管放大电路 场效应管放大电路的分析与三极管放大电路的分析一样，要求直流分量与交流分量分开处理， ① 先进行直流分析，求出静态工作点； ② 再进行交流分析，计算FET放大电路的交流性能指标。 4.1.2 耗尽型MOSFET（DMOSFET） 1、DMOSFET的结构 图4-1-13（a）为N-DMOSFET的结构示意图，它在P型衬底上扩散一薄层N型导电沟道。 图4-1-14（a）为P-DMOSFET的结构示意图，它在N型衬底上扩散一薄层P型导电沟道。 它们的电路符号与EMOSFET的不同在于其中的虚线用实线取代，表示在VGS=0时，导电沟道已经存在。图4-1-13（c）是当衬底U与源极S相连时的N-DMOSFET的简化符号，图中中间粗线表示VGS=0时有沟道存在。 图4-1-14（c）是U与S相连时P-DMOSFET的简化符号。 图4-1-13 N-DMOSFET 图4-1-14 P-DMOSFET 4.1.2 耗尽型MOSFET （DMOSFET） 2、伏安特性 以N-DMOSFET为例， 其输出特性和转移 特性分别如上图： 由图可见，当VDS一定，VGS由零增大时，作用在衬底上的电场增强，更多的电子从衬底吸引到导电沟道，使导电沟道变宽（加深），导电能力增强，ID增大。 反之，当VGS由零向负值方向增大时，沟道中的电子被排斥，沟道变窄，沟道的导电能力减弱，ID减小，直到沟道消失， ID=0，MOSFET截止。 相应的VGS电压称为夹断电压。 事实上，夹断电压也可理解为沟道开始形成时的开启电压。 本书中采用后一种名称，用VGS(th)表示（或者用VGS(off)表示）。 图4-1-15 N-DMOSFET的伏安特性曲线 4.1.2 耗尽型MOSFET（DMOSFET） 2、伏安特性 N-DMOSFET在非饱和区和饱和区的漏极电流ID的表达式与EMOSFET相同。 非饱和区： （4-1-9） 饱和区： （4-1-10） P-DMOSFET的特性也类似，与N-DMOSFET的差别仅在于电压极性和电流方向相反。 耗尽型MOSFET的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 4.1.3 四种 MOSFET 的比较 MOS场效应管 (MOSFET） 分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 增强型： 没有导电沟道， 耗尽型：