奈米材料的种类和分析.pptVIP

場發射顯示器技術原理：傳統的場發射顯示器（FED）之三極結構，由真空封裝（Vacuum Sealing）技術將薄膜式的場發射陣列（FEA）所構成之陰極板（Cathode Plate），與利用厚膜網印法製作成螢光粉層之陽極板（anode plate），組合於高真空（10～10 Torr）的環境，利用FEA所產生電子源，於陽極電壓（3000～8000 V）的加速下衝擊螢光粉使其發光，因此FED為一自發光顯示器，且具備高亮度、高效率、無視角、省電等優點。薄膜式的FEA利用半導體薄膜製程，在玻璃基板上製作出二維陣列（X-Y Matrix）的FEA，為了提高場發射電流密度，在每個像素（pixel）中排列數以千計的發射尖端，這些發射尖端的材料一般以鉬（Mo）金屬為主，當施加足夠之電壓於閘極與陰極時，因量子穿遂效應，電子即由發射尖端穿越金屬表面之位能障壁進入真空區。 (2)奈米碳管場發射顯示器（Carbon Nanotube Field Emission Display；CNT-FED）是利用厚膜網印製程及FED技術實現CRT平面化的可能性，不僅保留了CRT的影像品質，並具有省電及體積薄小之優點；同時結合奈米碳管的低導通電場、高發射電流密度、高穩定性等特性，成為兼具低驅動電壓、高發光效率、無視角問題、省電的大尺寸、低成本等優點的全新平面顯示器。 * 第五章 奈米材料 5.1 前言 5.2 奈米材料的性質 5.3 奈米材料的研製 5.4 奈米碳管 5.1 前言 奈米材料是指尺寸1-100 nm的物體，其大小要比應用特性之特徵長度還要小。例如一般材料破裂，都是從極小的微裂縫開始，當物體縮小到與微裂縫相當的大小後，就不會產生微裂縫，其破裂行為將與塊材時不一樣。可知，奈米材料絕對不是尺寸的縮小，而是因其奈米尺寸的大小，改變了材料的基本性質。奈米材料可以是金屬、陶瓷、高分子甚至是複合材料。奈米材料能展現新穎的光電、磁性、熱學及化學性質是因為：物體包含有限的原子總數，因此趨近由原子物理或是量子物理所預測的性質；較高比例的原子佔據在表面上，因而表面的行為較重要 一種新材料或新技術的出現，總會帶給人們無限的憧憬與期望。目前，最受科技界矚目的奈米科技，就是其中的翹楚。 1940年代電晶體(transistor)的出現，走上舞台時並未獲得大家的注意，相關報導也僅披露於地方性小報上。 1980年代逐漸受到矚目的微機電系統(MEMS)技術則受到相當的青睞，當第一個微細加工製作的可轉動馬達出現時，各大傳播媒體大篇幅地報導。隨之而下，人們對奈米科技的發展潛力，愈有更高的期待。奈米科技的濫觴相當早。 至1980年代末期及1990年代初期，奈米科技才逐漸成為一專門領域，尤其是原子尺度觀察及操縱能力於1980年代研發出來後，對於奈米科技的發展，更扮演著推波助瀾的角色。及至今日，它的發展速度更驚人，甚至可說達到失控的地步，吸引各界的目光，各個領域及行業，都想涉入或和奈米一詞拉上關係，以提升其附加價值及競爭力。 奈米材料的範圍非常廣泛，從自然界中的，到人為的各種材料。自然界中的例子，如許多細菌或是生物辨別方位的方法，即是靠著生物體既有的單磁區奈米顆粒（FeO）。這些自然界的現象，可以作為人類製作奈米材料的樣版，也可以學習仿照，將之應用於人體的器官內。至於其他無機材料方面，從1960年以金屬奈米粉末開始，1980年做到只有100顆原子組成的奈米團簇，1990年量子點重新發現，1991年一維奈米碳管的發現，最近十多年則是各種維度、各種奈米結構相繼發現。 奈米材料的研究範圍涵蓋有零維的奈米粉末、奈米顆粒、奈米團簇、量子點等；一維的奈米線、奈米帶、奈米管、量子線；二維的各種物理、化學性質的奈米薄膜，如巨磁阻磁性薄膜、發光及微機電的奈米鑽石薄膜，及半導體量子井結構等；三維的奈米結構，如多孔洞薄膜、顆粒，奈米晶粒；奈米複合材料，如奈米高分子夾層、不同奈米材料堆疊之複合材料等。 5.2 奈米材料的性質 奈米材料的製備，主要分為物理及化學方式兩種。 物理方式，通常利用微影蝕刻(lithography)、乾濕式蝕刻 (etching)等蝕刻方法，即是由上而下 (top-down)的方法來製備奈米粒子。光蝕刻法的極限約在0.07微米左右，而利用離子束 (ion beam)或電子束 (electron beam)，可以改進蝕刻精度極限，縮小至0.01微米，但要製備比0.01微米更小的奈米材料尺寸，就必須改變蝕刻技術的方法。 化學方式，通常所用的方法，是由下而上 (bottom-up)的方法，也就是以原子或分子為基本單位，利用溶液微胞侷限、電解、生物模板、溶膠-凝膠、化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)等方法，漸漸往上成長成奈米粒子。 於物理性質或是