抗高过载技术精要.ppt

抗高过载技术的研究 国外发展状况: 目前，国外已成功地研制出了许多性能优良的高过载惯性器件，例如高过载加速度计和高过载陀螺。但由于高过载的 MEMS 惯性器件一般都应用于军事方面，因此其公开的资料比较少，可供参考的数据也比较少。 抗高过载技术的研究 1985 年，德雷伯实验室(CSDL)在美国军方合同的资助下，开始研制可满足于军用惯性系统所要求的低成本微型惯性器件，在 1996 年研制出量程为 10 万 g 的加速度计。 1989 年，美国模拟器件(AD)公司开始研究叉指式电容微加速度计，在 1993年开始投产，现已形成 ADXL 产品系列。在模拟炮弹发射环境的冲击台和空气炮上进行过载冲击试验，该产品可以承受超过 6 万 g 的冲击。 抗高过载技术的研究 20 世纪 90 年代，美国 Endevco 公司生产了用于武器系统的引信和高冲击测试等方面的 7270 系列加速度传感器，其敏感元件结构和封装结构如图 所示。 该传感器采用 2μm 直径的焊丝，利用环氧材料将芯片封装起来，因此能够抵挡20万g的加速度冲击。在霍普金森棒冲击测试中，该加速度传感器的量程达到10万g。 抗高过载技术的研究 20 世纪 90 年代末，利用表面微机械加工技术，美国圣地亚国家实验室研制出一种用于钻地武器的高 g 值加速度计，如图 所示。 加速度计的结构由参考电容、检测电容和支撑梁组成。检测电容由定极板和动极板组成，定极板与传感器基座连在一起，动极板由梁支撑在定极板的上方。该加速度计材料选用多晶硅，其量程可达到 5 万 g。 抗高过载技术的研究 如图 所示为美国 NASA 中心研制的单晶 6H-SiC 压阻式加速度计。主要应用于高温、高电磁场等特殊场合，这些特殊场合对常规的硅传感器提出了考验，而碳化硅的半导体特性使其在这种特殊场合有着巨大的应用前景。 抗高过载技术的研究 现状 抗高过载技术的研究 国内发展状况: 目前，我国在该方面的研究还处于实验室研制阶段，研制单位包括清华大学、东南大学、北京大学、中电科技第四十九研究所、哈尔滨工业大学、上海微系统所、信息产业部 13 所等。 北京大学微电子所研制的高过载压阻式加速度计，其结构如图 所示，量程为 5 万 g。 该加速度计在结构上采用具有压膜阻尼调整和限位过载保护的“三明治”结构，实现了芯片级封装。在中间敏感结构层上设计了独特的梁膜结构，在敏感方向上保证了结构具有足够的灵敏度，有效的抑制了其它非敏感方向上的灵敏度。 抗高过载技术的研究 204 所研制的 988 压电加速度计，其结构如图 所示，量程为 10 万 g，频率响应为 25KHz，幅值线性为10%，电荷灵敏度为 0.4-0.7pc/g，最大横向灵敏度比10%。 抗高过载技术的研究 上海微系统研究所用体硅微系统技术（包括 DRIE 技术）制作了一种双等质量块的等宽薄板结构的高过载加速度计，理论分析其最大量程为 20 万 g，冲击灵敏度为 1.43μv/g，固有频率优于 200KHz。 抗高过载技术的研究 目前，国外高G值加速度传感器量程已达20万g，国产传感器的量程可达10万g。 我国虽然近几年在理论和实验方面取得一定的进展，但无论是通过表面微机械加工还是体微机械加工，样机在抗高过载能力方面都存在较大的技术难点。 在实际工程中，器件结构的设计，阻尼的设计，线路的设计以及封装技术等方面都存在或多或少的问题，与国际上的先进水平还有着很大的差距，因此还需要更多的研究，设计出满足高过载环境下所需求的产品。 抗高过载技术的研究 采用微机械限位结构法来提高梁—岛型压阻式加速度传感器的抗过载能力，并探索优化设计的方法 研究采用整体式悬臂梁结构高G值MEMS传感器的结构和动力学模型，探索此类结构的高过载保护方法 对高G值MEMS加速度传感器进行有限元模拟，对传感器的封装结构进行频域分析和时域分析，研究封装材料对传感器振动模态和输出信号的影响 抗高过载技术的研究 MEMS加速度传感器抗高过载技术研究 研究高G值MEMS加速度传感器的动态校准方法、校准装置及相应的动态数学模型 基于有限元模拟和经验数值相结合的办法，研究电容式高G值MEMS加速度传感器的设计方法，并采用硅溶片工艺以及外围电路和表头的一体化设计方法，以提高传感器的抗高过载性能。 抗高过载技术的研究 MEMS加速度传感器抗高过载技术研究 混合集成电路 抗高过载技术的研究 耐高过载基板设计制造技术 元件和基板耐高过载组装互连技术 耐高过载封装技术 耐高过载试验和检测分析技术 * 抗高过载方法 耐高过载HIC基板制造技术 来源：军用微电子器件耐高过载技术研究-金家存 LTCC(低温共烧陶瓷)落片过程和操作方法 厚膜基片是芯片、电容、电阻、导带、介质浆料等的载体,同时又与封装外壳相连,是耐高过载的重要部件。