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三种IGBT驱动电路和保护方法详解 本文着重介绍三个IGBT HYPERLINK /tag-%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E7%94%B5%E8%B7%AF.HTM \o 驱动电路 \t /2016-01/_blank 驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下： 　　（1） 提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。 　　（2） 提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。 　　（3） 尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。 　　（4） 足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。 　　（5） 具有灵敏的过流保护能力。 　　驱动电路EXB841/840 　　EXB841 工作原理如图1，当EXB841的14脚和15脚有10mA的电流流过1us以后IGBT正常开通，VCE下降至3V左右，6脚电压被 钳制在8V左右，由于VS1稳压值是13V，所以不会被击穿，V3不导通，E点的电位约为20V，二极管VD截止，不影响V4和V5正常工作。 　　 　　当 14脚和15脚无电流流过，则V1和V2导通，V2的导通使V4截止、V5导通，IGBT栅极电荷通过V5迅速放电，引脚3电位下降至0V，是 IGBT栅一 射间承受5V左右的负偏压，IGBT可靠关断，同时VCE的迅速上升使引脚6“悬空”。C2的放电使得B点电位为0V，则V S1仍然不导通，后续电路不动作，IGBT正常关断。 　　如有过流发生，IGBT的V CE过大使得VD2截止，使得VS1击穿，V3导通，C4通过R7放电，D点电位下降，从而使IGBT的栅一射间的电压UGE降低 ，完成慢关断，实现对IGBT的保护。由EXB841实现过流保护的过程可知，EXB841判定过电流的主要依据是6脚的电压，6脚的电压不仅与VCE 有关，还和二极管VD2的导通电压Vd有关。 　　 　　典型接线方法如图2，使用时注意如下几点： 　　a、IGBT栅-射极驱动回路往返接线不能太长（一般应该小于1m），并且应该采用双绞线接法，防止干扰。 　　b、由于IGBT集电极产生较大的电压尖脉冲，增加IGBT栅极串联电阻RG有利于其安全工作。但是栅极电阻RG不能太大也不能太小，如果 RG增大，则开通关断时间延长，使得开通能耗增加;相反，如果RG太小，则使得di/dt增加，容易产生误导通。 　　c、图中电容C用来吸收由电源连接阻抗引起的供电电压变化，并不是电源的供电滤波电容，一般取值为47 F。 　　d、6脚过电流保护取样信号连接端，通过快恢复二极管接IGBT集电极。 　　e、14、15接驱动信号，一般14脚接脉冲形成部分的地，15脚接输入信号的正端，15端的输入电流一般应该小于20mA，故在15脚前加限流电阻。 　　f、为了保证可靠的关断与导通，在栅射极加稳压二极管。 M57959L/M57962L厚膜 HYPERLINK /tag-%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E7%94%B5%E8%B7%AF.HTM \o 驱动电路 \t /2016-01/_blank 驱动电路 　　M57959L/M57962L厚膜驱动电路采用双电源（+15V，- 10V）供电，输出负偏压为-10V，输入输出电平与TTL电平兼容，配有短 路/过载保护和 封闭性短路保护功能，同时具有延时保护特性。其分别适合于驱动1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其 以下的 IGBT.M57959L/M57962L在驱动中小功率的IGBT时，驱动效果和各项性能表现优良，但当其工作在高频下时，其脉冲前后沿变的较差，即信 号的最大传输宽度受到限制。且厚膜内部采用印刷 HYPERLINK /KW-dianluban.html \o 电路板 \t /2016-01/_blank 电路板设计，散热不是很好，容易因过热造成内部器件的烧毁。 　　日本三菱公司的M57959L集成IGBT专用 HYPERLINK /tag-%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E8%8A%AF%E7%89%87.HTM \o 驱动芯片 \t /2016-01/_blank 驱动芯片它可以作为600V/200A或者1200V/100A的IGBT驱动。其最高频率也达40KHz，采用双电源 供电（+15V和-15V）输出电流峰值为±2A，M57959L有以下特点： 　　（1） 采用光耦实现电器隔离，光耦是快速型的，适合20KHz左右的高频开关运行，光耦的原边已串联限流电阻，可将5V电压直接加到输入 侧。 　　（2） 如果采用双电源驱动技术，输出负栅压比较高，电源电压的极