MOS器件表征方式和特性.pptVIP

电荷泵的原理 电荷泵电流 界面陷阱能量范围 tem,e: 电子非稳态发射时间 tem,h: 空穴非稳态发射时间 脉冲波形 矩形波 三角波 三角波的上升下降时间tr,tf随频率变化，所以测量界面陷阱的能量范围以及每个周期复合的电荷量 都和频率相关的。 广泛应用的波形，可以测量界面陷阱能量分布，空间分布等 脉冲扫描模式 该 种方式比较适合用来监测MOSFET在均匀应力下的退化 曲线的横向移动：有效氧化层电荷的作用 曲线高度的增高：界面态的增加 固定脉冲高度, 改变低电平的扫描方式 扫描模式 固定低电平扫描高电平或固定高电平扫低电平 电荷泵电流与脉冲高电平的关系 电荷泵电流与脉冲低电平的关系 每周期复合的几何分量电荷与 脉冲下降时间及栅长的关系 电荷泵电流的几何分量 前面分析假设：反型载流子都有足够的时间从沟道流回源漏极。 当沟道很长时，沟道中间的反型载流子可能没有足够的时间回到源漏极，它们就会与从衬底来的多子复合，这样就在衬底产生了另一种电流。 该电流与界面态无关，却包含在衬底电流中，从而增大了实际的电荷泵电流 该电流与沟道长度等器件尺寸有关 代表没有流回源漏极而与衬底多子复合的那部分反型载流子 电荷泵电流与脉冲频率的关系 低频下, 电荷泵电流与频率成正比。 高频下(几兆赫兹)电荷泵电流与频率偏离了线性关系 界面陷阱俘获时间常数 单位周期沟道保持反型的时间 导致界面陷阱不能完全填充，参与复合的电荷减少 电荷泵电流减小 电荷泵电流与温度的关系 与温度密切相关：电荷泵电流由载流子的热发射和复合决定 温度升高，载流子发射作用增强，对电荷泵电流有贡献的电荷就会减少，电流减少 温度降低，电流会增加。 低温下由于载流子发射作用减弱，固定脉冲高度的电荷泵电流上升、下降沿会变得更陡峭；可用低温电荷泵实验来确定界面态里的产生－复合中心。 界面态能量分布的测量 界面态的能量分布(即界面态在禁带中的分布)是一个很重要的量, 对于了解不同偏压下界面态的带电情况，以及对器件性能的影响是很关键的。利用电荷泵提出了不同的测量方法，主要有以下三种方法： 固定上升沿(或下降沿)改变脉冲的下降(或上升)时间 固定载流子热发射窗口，利用热发射速率的温度关系，通过温度扫描可以得到禁带上下部分的能量 采用阶梯波 CV测量方法 理想MOS结构的CV测量 基本理论 能带图 非理想MOS结构的CV测量 缺陷的影响 界面电荷与表面电势的关系 L=100nm, Na=4x1015cm-3 (a) L=10nm, Na=2x1017cm 掺杂影响平带电压，浓度越高所需反型电压越大 Si表面电势决定界面电荷的正负 表面电容 当?s?0，平带情况下，有： 表面电势改变会对引起表面电荷充放电 反型MOS结构 电荷分布 能带图 反型MOS结构 电势分布图 电场分布图 Ci：不随Vg变化 Cs：随?s而变化 典型的CV特性 平带电容 表面耗尽对应电容 高频CV特性 反型层电荷不能更上频率变化 MOS结构的等效电路 少子产生时间?I 等效电路，载流子充放电途径 非理想MOS结构 功函数的影响 氧化层电荷的影响 改变能带形状和电荷、电场分布 氧化层电荷的影响 等效氧化层电荷 功函数的影响 电荷越靠近氧化层/硅界面，其影响越严重 电荷越靠近氧化层/金属界面，其影响越弱 界面态的影响 禁带中心以上：类受主 (填充为负；空为中性) 禁带中心以下：类施主 (填充为中性；空为正) 费米能级能够改变界面电荷 界面态的影响 正界面电荷引起负漂移 负界面电荷引起正漂移 拉伸CV曲线的作用 界面态的影响 界面陷阱引起电容拉伸 高低频电容法 测量推算出的结果 界面态的影响 实际器件中存在的问题 存在快界面态 存在漏电流情况下低频测量存在很大误差 界面态的影响 频率的影响 实际器件中存在的问题 氧化层电流的影响 引入电导 Cox Gox 尺寸效应对CV的影响 影响因素 多晶硅耗尽 量子效应 泄漏电流 DCIV测量 DCIV Neugroschel和C.T.Sah于1995年首先提出,利用BiMOST 方法来测量和分离氧化层陷阱和界面陷阱密度。由于这种方法测量施加直流电压的基极和集电极电流与栅电压的关系，就称为直流电流电压测量法(Direct Current Current Voltage，DCIV) DCIV测量 基极电流与界面陷阱处的电子与空穴复合电流有关，则，基极电流的变化是应力产生界面电荷与陷阱浓度的函数。 集电极电流的增加则完全是当栅压从平带电压过渡到阈值电压时，在pMOSFET的源漏两端就会出现一个反型沟道，把源漏结连在一起，这就相当于突然增大了垂直晶体管的发射极和基极之间的面积。 因此应力感应平带电压的变化可以灵敏的表征氧化层电荷和界面电