薄膜的基本性质.ppt

第二章 薄膜的性质 在以固体电路为中心的电子学领域中，以及在分子束外延膜等有应用前途的光电子学领域中，单晶膜起着重要的作用。但是常用的还是以多晶膜为多。这里，叙述有关薄膜的基本性质。 导电性 薄膜和热平衡状态下制造的金属，二者生成过程完全不同。薄膜是由岛状构造开始，且在急热急冷的状态下生成的，因此薄膜内缺陷很多。这样，其导电性就表现出与整块的金属的导电性不同的特殊性质。 在研究薄膜的导电性时，同气体情况下相类似要考虑到电子的平均自由程与膜厚的关系。 导电性 （1）膜厚小于平均自由程 在薄膜为岛状构造的情况下，电子是沿着岛流动的，最终电子必须以某种方法通过微晶体之间的空间，因此，在膜层较薄时，电阻率是非常大的。当膜厚增加达到数百埃，电阻率就会急剧地减小；但是，因晶粒界面的接触电阻起很大的作用，所以和整块材料时相比，电阻率还是要大的多。晶粒界面上会吸附气体，发生氧化，当这些地方为半导体时，甚至会出现随温度的升高电阻减小的情况。 单晶膜是在高温下生成的，没有晶粒界面的问题，所以一般说来电阻率小些。如果蒸镀和溅射比较，溅射的膜由于核的密度较高，电阻率也较小些。 导电性 膜厚远远大于平均自由程 随着膜厚增加，薄膜的电阻率会接近整块材料的值，但一般仍要比整块的值大一些。这是由于微晶粒之间的接触电阻核晶体中存在的晶格缺陷的密度大于整块材料的这两个因素加起来造成的。 二、电阻温度系数（TCR） 一般说来，金属薄膜的电阻温度系数（TCR）在膜很薄时为负，在膜较厚时为正值。通常，较厚膜的TCR接近整块材料的值，但并不相等。 在制造电阻膜时，一般希望使电阻温度系数为零，因此，一般要研究蒸发条件核溅射条件的各种变化。有时也在氮气等活性气体中制造薄膜。 薄膜的结构是随着温度不可逆地变化的。与此相应，电阻核电阻温度系数也会变化。膜越薄，这种变化就越显著激烈。可以理解为，这是由于接近岛状或者海峡结构的薄膜其粒子在基片上的再蒸发、重排、氧化等而引起化学变化的缘故。在膜较厚时也会由于晶格缺陷的变化而发生不可逆的变化。对于薄膜来说，TCR和电阻率对于温度的可逆变化只是在某一限定范围之内的，与整块材料完全不同的。 三、薄膜的密度 一般说来，薄膜的密度要比整块材料的密度低。因此，同样重量的膜也比整块材料的膜要厚些。也可以说，这是由于某种程度的粗糙性造成的。 在以测定重量来计算膜厚的情况下，有必要预先测定出密度来。 四、经时变化 薄膜在制成后也会十分缓慢地变化，这跟普通金属那样经过充分地退火除去了各种各样的缺陷是不同的。薄膜在制造时由于急速地冷却而包含有各种各样的缺陷、变形等等，这是它变化的起因。在使用薄膜时，一般要求经时变化越小越好。为此，就要研究各种各样的制造条件。膜越薄，经时变化越大。这种经时变化，一般在初期比较剧烈。因此，在薄膜做成以后，如果在高温下放置数小时（按膜和基片材料而有所不同），则往往会使以后的变化比较小，我们把这种处理称为老化。 五、电介质膜 电介质是不显示电导性的绝缘体的总称。在绝缘体内晶格的周围存在着电子云，其内部没有自由运动的电子。如果施加外电场，离子和电子云的位置会发生位移，产生极化。在导体中是不存在电场的，与此相反，在绝缘体中，因介电常数有限，从而能产生有限电场，并且，绝缘体会发生介电感应现象，这就是所谓“电介质”名称的含义。与极化有关的压电性和热电性都是这类材料的重要性质。 电介质膜 电介质多数是化合物，由它们制备的薄膜是作为绝缘体使用的，但其中包含的缺陷比金属膜要多得多，且组成成分得差异也很大，因此，在多数场合下，绝缘性和介电特性都比整块材料要差。为了除去这些缺陷，在薄膜制成之后，需要进行热处理。 从制法上来说，溅射方法容易得到电介质膜。将电介质直接进行溅射时，可得到100～200nm/s的沉积速率。也可以利用其它的反应性溅射来制造电介质膜。 第二节 薄膜的力学性能 薄膜大都是附着在各种基体上，因而薄膜和基体之间的附着性能将直接影响到薄膜的各种性能，附着性不好的薄膜无法使用。 薄膜在制造过程中，其结构受工艺条件的影响很大，薄膜内部产生一定的应力。基体材料与薄膜材料之间的热膨胀系数的不同，也会使薄膜产生应力，过大的内应力将使薄膜卷曲或开裂导致失败。 所以在各种应用领域中，薄膜的附着力与内应力都是首先要研究的课题。 一、薄膜的粘附力 薄膜的附着性能在很大程度上决定了薄膜应用的可能性和可靠性，这是在薄膜制造过程中普遍关心的问题。 1. 附着现象： 从宏观上看，附着就是薄膜和基体表面相互作用将薄膜粘附在基体上的一种现象。薄膜的附着可分为四种类型： ①简单附着； ②扩散附着； ③通过中间层附着； ④宏观效应附着。 （1）简单附着时，薄膜和基体之间存在一个很清楚的分界面。这种附着是由两个接触面相互吸引形成的。当两个不相似或不相容的表面相互