基于不同自组装单层的酞菁氧钒薄膜晶体管-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 １ 　　 Vol．３０　No．１ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ ２ 　 　 　 Feb．２０１５ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０１Ｇ００５７Ｇ０７ 基于不同自组装单层的酞菁氧钒薄膜晶体管 ∗ , , , 崔 宁 张 娟 李航宇 宋 德 　 　 　 ( , ) 长春理工大学 理学院 吉林 长春 １３００２２ : ( ) . 摘要 研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒 VOPc薄膜晶体管性能的影响 通过 AFM 图谱分析不同界面修饰层上 , . , VOPc薄膜的生长行为 通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性 实验结果表明 十八烷基三氯硅 ( ) , ( ) ( ) 、 烷 OTSＧ１８修饰后生长的VOPc薄膜 比正辛基三氯硅烷 OTSＧ８和苯基三氯硅烷 PTS修饰后的薄膜晶体尺寸更大 ; , ( 质量更优 基于 修饰的底栅顶接触型 有机薄膜晶体管 在 种结构器件中具有最高的场效应迁移率 OTSＧ１８ VOPc ４ ０５１ ２/ ), . 相对于未修饰的器件迁移率提高了近 倍 较长的烷基链能够有效地隔绝 分子和二氧化硅之间的 cm V s ４０ VOPc , 、 , . 相互作用 利于形成大晶粒尺寸 少缺陷的优质薄膜 获得高迁移率的TFT器件 绝缘层表面自组装单分子层的厚度对 , . 其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显 这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义 : ; ; ; 关 键 词 自组装单分子层 薄膜形貌 酞菁氧钒 烷基链 　 　 中图分类号: 文献标识码: : / TN３８６．２　　 A　　doi１０．３７８８YJYX００５７ Vanadlhthalocaninethinfilmtransistorsbasedon