基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序纳米硅阵列的尺寸及-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 6’ 7 $$7 7 ， ， ， LM; )6’ KM )7 N=;O $$7 （ ） #$$$8%$F$$7F6’ $7 F((8$6 2GH2 ,IJ-/G2 -/K/G2 !$$7 GP:* ) ,POQ ) -MC ) 基于直接胶体晶体刻蚀技术的高度有序 纳米硅阵列的尺寸及形貌控制! ! 李 卫 徐 岭 孙 萍 赵伟明 黄信凡 徐 骏 陈坤基 （南京大学物理系，固体微结构物理国家重点实验室，南京 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$’ #$ ( $$’ # # 以自组装单层胶体小球阵列为掩模，采用直接胶体晶体刻蚀技术在硅表面制备二维有序尺寸可控的纳米结 构 在样品制备过程中，首先通过自组装法在硅表面制备了直径 的单层聚苯乙烯（ ）胶体小球的二维有序 ) $$ *+ ,- 阵列；然后对样品直接进行反应离子刻蚀（ ），以氧气为气源，利用氧等离子体对聚苯乙烯小球和对硅的选择性 ./0 刻蚀作用，通过改变刻蚀时间，制备出不同尺寸的 胶体小球的有序单层阵列；接着以此二维 胶体单层膜为掩 ,- ,- 模，以四氟化碳为气源对样品进行刻蚀；最后去除胶体球后得到二维有序的硅柱阵列) -01 和231 的测量结果表 明：改变氧等离子体对胶体球的刻蚀时间和四氟化碳对硅的刻蚀时间，可以控制硅柱的尺寸以及形貌，而硅柱阵列 的周期取决于原始胶体球的直径) 关键词：胶体晶体刻蚀，纳米硅柱阵列 ： ， !## 4##’ 4##’5 法在原则上是可行的，但在实际应用中由于设备昂 #D 引 言 贵、制备过程复杂、生产效率低、生产成本高，难以实 现规模化、产业化 近年来，国际上兴起了两种新的 ) ［ ， ］ 当物质尺寸达到纳米量级时，将出现许多新的 纳米结构制备方法：纳米印章技术# #( 和二维胶体 ［ ］ 奇特的物理效应) 例如，量子限制效应、库仑阻塞效