多孔矽n-Si结构光电特性探讨.PDFVIP

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2019-04-23 发布于湖北
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多孔矽n-Si结构光电特性探讨.PDF

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科學與工程技術期刊第四卷第三期民國九十七年 15 Journal of Science and Engineering Technology, Vol. 4, No. 3, pp. 15-17 (2008) 多孔矽/n-Si結構的光電特性探討黃俊達卓其何大葉大學電機工程學系 51591彰化縣大村鄉山腳路 112號摘要本文利用光電化學蝕刻的方式在室溫下成長多孔矽薄膜當作表面抗反射層來形成 PS （porous silicon ）/N-S 的結構。光電化學蝕刻的方法來成長多孔矽層具有低成本，且經濟效益高與矽製程相容等優點。利用掃描式電子顯微鏡來觀察多孔矽結構，且討論 Al/PS/n-Si/Al 元件的光電特性，分別量測不照光和照射鹵素燈 I-V 特性曲線圖，而得到光暗電流比（photo-to-dark current ratio, I /I ）、整流比（rectification ratio, I /I ）；並利用分光光度計量測多孔矽抗反射層 p d f d （antireflection layer ）的反射率，得到 1% 的反射率，這個反射率甚低於傳統 KOH （potassium hydroxide ）蝕刻的金字塔型結構抗反射層。關鍵詞：多孔矽，光暗電流比，整流比，抗反射層 Photo-Electrical Characteristics of a Porous Silicon/n-Si Structure JUN-DAR HWANG and CHI-HE CHUO Department of Electrical Engineering, Da-Yeh University No. 112, Shanjiao Rd., Dacun, Changhua, Taiwan 51591, R.O.C. ABSTRACT A porous silicon (PS)/n-Si structure was prepared by using photo-electrochemical etching (PEC), in which the porous silicon acts as an antireflection layer. The PEC method exhibits many advantages, including low cost, highly economical efficiency, and compatibility with Si technology. In this study, scanning-e