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高功率、高效率808nm半导体激光器阵列
王贞福 杨国文 吴建耀 宋克昌 李秀山 宋云菲
High-power,high-efficiency808nmlaserdiodearray
WangZhen-Fu YangGuo-Wen WuJian-Yao SongKe-Chang Li Xiu-Shan Song Yun-Fei
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,164203(2016) DOI: 10.7498/aps.65.164203
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.164203
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I16
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 16 (2016) 164203
高功率、高效率808 nm半导体激光器阵列
王贞福 杨国文 吴建耀 宋克昌 李秀山 宋云菲
1)(中国科学院西安光学精密机械研究所, 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 西安 710119)
2)(西安立芯光电科技有限公司, 西安 710077)
( 2016 年4 月20 日收到; 2016 年6 月1 日收到修改稿)
通过设计高效率808 nm 非对称宽波导外延结构, 减少P 型波导层和包层的自由载流子光吸收, 实现腔内
光吸收损耗为0.63 cm . 制备的808 nm 半导体激光器阵列在室温25 ◦C 下, 实现驱动电流135 A, 工作电
压1.76
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