- 65
- 0
- 约3.9千字
- 约 12页
- 2021-06-01 发布于四川
-
正版发售
- 现行
- 正在执行有效期
- | 2009-10-30 颁布
- | 2010-06-01 实施
- 1、本标准文档 共12页,仅提供部分内容试读。
- 2、本网站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等,侵权必究。
- 3、本网站所提供的标准均为PDF格式电子版文本(可阅读打印),因数字商品的特殊性,一经售出,不提供退换货服务。
- 4、标准文档要求电子版与印刷版保持一致,所以下载的文档中可能包含空白页,非文档质量问题
查看更多
EXAMINEANDVERIFYGB-T14144-2009硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
犐犆犛29.045
犎 80
中华人 民共和 国国家 标准
/ —
犌犅犜14144 2009
代替 / —
GBT14144 1993
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
犜犲狊狋犻狀 犿犲狋犺狅犱犳狅狉犱犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狉犪犱犻犪犾犻狀狋犲狉狊狋犻狋犻犪犾狅狓 犲狀
犵 狔犵
狏犪狉犻犪狋犻狅狀犻狀狊犻犾犻犮狅狀
20091030发布 20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发 布
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
/ —
犌犅犜14144 2009
前 言
本标准修改采用 《用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法》。
SEMIMF11881105
本标准与 SEMIMF11881105相比,主要有如下不同:
———增加了测量点选取方案;
———标准编写按 / 格式,部分 标准中的章节进行了合并和整理。
GBT1.1 SEMI
本标准代替 / — 《硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法》。
GBT14144 1993
本标准与原标准相比,主要有如下变化:
———氧含量测量范围进行了修订;
———增加了“测量仪器”、“术语”和“干扰因素”章节;
———增加了采用经认证的硅中氧含量标准物质对光谱仪进行校准的内容;
———将原标准中“本标准适用于室温电阻率大于 · 的硅晶体”改为“本标准适用于室温电
0.1 cm
Ω
阻率大于 · 的 型硅单晶和室温电阻率大于 · 的 型硅单晶”;
0.1 cm n 0.5 cm
Ω Ω p
———样品厚度范围修改为“0.04cm 0.4cm”。
~
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:峨嵋半导体材料厂。
本标准主要起草人:杨旭、江莉。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
——— / — 。
您可能关注的文档
- GB-T 4092-2008 信息技术 程序设计语言 COBOL.pdf
- GB-T 12060.4-2012 声系统设备 第4部分:传声器测量方法.pdf
- GB-T 12684-2006 工业硼化物分析方法.pdf
- GB-T 12687.1-2010 XIAO酸稀土植物生长调节剂化学分析方法 第1部分:砷、汞、铅、镉、铬量的测定 电感耦合等离子体质谱法.pdf
- GB-T 12730-2008 一般传动用窄V带.pdf
- GB-T 12747.1-2004 标称电压 1kV 及以下交流电力系统用自愈式并联电容器 第1部分:总则-性能、试验和定额-安全要求-安装和运行导则.pdf
- GB-T 12809-1991 实验室玻璃仪器玻璃量器的设计和结构原则.pdf
- GB-T 12856-1991 程序设计语言 BASIC 子集.pdf
- GB-T 12857-1991 电视广播接收机在非标准广播信号条件下的测量方法.pdf
- GB-T 12898-2009 国家三、四等水准测量规范.pdf
文档评论(0)