浮栅！#器件辐射效应机理分析.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ; ’ ##% ’ ， ， ， :/M -; L/ -’ 39NO9?N9B ##% （ ） ###H%’#F##%F; #’ F%;H#) 2.I2 64J3K.2 3KLK.2 ##% .PEQ - 6PRA - 3/ - !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 浮栅!# 器件辐射效应机理分析 贺朝会 耿 斌 杨海亮 陈晓华 李国政 王燕萍 （西北核技术研究所，西安 !#$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ## ’ ( ## ) 分析了浮栅 器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象 指出辐射产生的电子空穴对在器 *+, - 件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因 浮栅 器件的中 - *+, 子、质子和$# ./ 辐射效应都是总剂量效应- ! $# 关键词： ， ，中子，质子， ，总剂量效应 01234 *+, 556*+, ./ ! ： ， $% $(# !%)#7 8 引 言 8 辐射效应简介 新型浮栅 *+, 器件（主要是 01234 *+, 和 中子辐照实验是在兰州大学 ),9: 强流中子 ）在单一的工作电压下，就可以完成读出、 发生器上进行的 中子注量率为（ — ） 556*+, - 8 $ 8 = 擦除和写入功能，克服了原有只读存储器（ ）的 ( @ @ ，对应的电离剂量率在 — *+, # ? A # 8$ # 8!(BCD 不足；而且和静态随机存取存储器（ ）相比，其 （ ） 之间 质子辐照实验是在中国科学院高能物 3*2, 3E F A - 存储的数据是非挥发性的，即使掉电，也不会丢失数 理研究所 质子直线加速器上进行的 用散射 %;,9: