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第七章 金属-半导体的接触 7.1 金属和半导体接触及其能带图 画能带图的步骤： 1. 画出包括表面在内的各部分的能带图 2. 使图沿垂直方向与公共的E0参考线对齐，并通过 公共界面把图连起来 3. 不改变半导体界面能带的位置，向上或向下移动 半导体体内部分的能带，直到EF在各处的值相等 4. 恰当地把界面处的Ec, Ei, Ev和体内Ec, Ev, Ei连接起来 5.去除不重要的线 金属中的电子向半导体中运动存在势垒?ns 叫做肖特基势垒。 例1： 金属W与n型半导体Si 接触，Si的掺杂浓度ND=1016cm-3,温度T=300K，求： （1）肖特基势垒高度 （2）半导体内的内建电势 解：(1) W的功函数：Wm=4.55eV, Si: ?=4.05eV ?ns=Wm- ?=4.55-4.05=0.50eV (2) qVD=Wm-Ws= ?ns- En 例2：受主浓度为NA=1017cm-3的p型Ge, 室温下的功函数是多少？若不考虑界面态的影响，它与Al接触时形成整流接触还是欧姆接触？如果是整流接触，求肖特基势垒的高度 三、 界面态对势垒高度的影响 前面讨论的理想MS接触，认为接触势垒仅由金属的功函数决定的，实际上，半导体表面存在的表面态对接触势垒有较大的影响。 表面态位于禁带中，对应的能级称为表面能级。表面态分为施主型和受主型两类。 若能级被电子占据时呈电中性，施放电子后呈正电，称为施主型表面态。 若能级空着时呈电中性，而接受电子后呈负电，称为受主型表面态。 外加偏压对两种MS结构的影响 7.2 金属和半导体接触的整流理论 外加电压后，金属和半导体的费米能级不再相同，二者之差等于外加电压引起的电势能之差。 金属一边的势垒不随外加电压而变，半导体一边，加正偏，势垒降低，反偏势垒变高。 7.2 金属和半导体接触的整流理论 WMWs，整流接触 正偏，半导体势垒高度变低，电子从S注入M，形成净电流I，I随VA的增加而增加。 反偏：势垒升高，阻止电子从S向金属流动，金属中的一些电子能越过势垒向半导体中运动，但这一反向电流很小。 结论： WMWs时，理想的MS接触类似于pn结二极管、 具有整流特性 7.2 金属和半导体接触的整流理论 3. I-V特性 Js m是电子从半导体扩散到金属中的电流密度， Jm s是电子从金属扩散到半导体中的电流密度。 Figure 9.10 7.2 金属和半导体接触的整流理论 镜像力的势能将叠加到理想肖特基势垒上，使原来的理想肖特基势垒的电子能量在MS界面处下降，即使肖特基势垒高度下降，这就是肖特基势垒的镜像力降低现象，又叫做肖特基效应。 本章小结 一 重要术语解释 1．金属的功函数 2．电子亲和势 3．欧姆接触 4．整流接触 5．肖特基势垒高度 本章小结 6．半导体表面势 7．肖特基二极管 8．热电子发射效应 本章小结 二 知识点 学完本章后，读者应具备如下能力： 1．能大致画出肖特基势垒二极管的零偏、反偏以及正偏时能带图。 2．描述肖特基势垒二极管正偏时的电荷流动情况。 3．解释肖特基势垒降低现象以及这种现象对肖特基 势垒二 极管反向饱和和电流的影响。 4．解释表面态对肖特基势垒二极管的影响。 5．说出肖特基势垒二极管反向饱和和电流比pn结二 极管反向饱和电流大的一个应用。 6．解释欧姆接触。 本章小结 三 复习题 1. 什么是理想肖特基势垒高度？在能带图上指出肖特基势垒。 2.肖特基势垒二极管正偏时的电荷流动情况是怎么样的？ 3. 比较肖特基势垒二极管与pn结二接管正偏时的I-V特性。 4. 大致绘出金属-半导体结在?m?s时的能带图，并解释为什么这是一个欧姆接触？ 金属半导体结中的电流输运机制，不同于pn结中少数载流子决定电流的情况，而是主要取决于多数载流子。肖特基二极管的基本过程是电子运动通过势垒。这种现象可以通过热电子发射理论来解释。热电子发射现象基于势垒高度远大于k0T这一假定。 7.2 金属和半导体接触的整流理论 7.2 金属和半导体接触的整流理论 4.肖特基势垒二极管 和pn结二极管的比较 pn结二极管 肖特基 虽然J-V特性的形式非常相似，但反向饱和电流密度的公式有很大区别，两种器件的电流输运机构是不同的。pn结的电流是由少数载流子的扩散运动决定的，而肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射跃过内建电势差而形成的。 JsTJS 2. 两种二极管正偏时的特性也不同，肖特基二极管的 开启电压低于pn结二极管的有效开启电压。 3.