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Introduction to Solar Photovoltaic Technology 太阳电池发展史 半导体材料与理论 硅片的生产 太阳电池原理 太阳电池工艺 太阳电池理论分析 太阳电池的表征 太阳电池分类 太阳电池的发展 第四节 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 太阳电池原理 第五节 硅太阳电池工艺 硅太阳电池工艺 硅材料的选择 硅材料的选择 硅材料的选择 硅材料的选择 硅材料的选择 硅材料的选择 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 硅片的表面准备 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 扩散制结 除去背结 除去背结 除去背结 除去背结 除去背结 除去背结 除去背结 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 制作上下电极 腐蚀周边 腐蚀周边 腐蚀周边 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 蒸镀减反射膜 硅片表面的光反射 (1) 减反射膜的原理 光照射到平面的硅片上，不能全部被硅吸收，因为有一部分光从硅片表面被反射。反射百分率的大小取决于硅和外界透明介质的折射率。如果不考虑扩散层的影响，垂直入射时，可以应用透明介质表面反射的公式计算硅片表面的反射率R: 式中，n0为外界介质的折射率，在真空或大气中等于1，若表面有硅橡胶则取1.4；nSi为硅的折射率，由于色散，硅的折射率对于不同波长的光数值是不同的。 硅表面的反射率 如果硅表面没有减反射膜，在真空或大气有省约三分之一的光被反射；硅橡胶能起减反射的作用，但反射率也约达20%。 I0 0.11I0 0.22I0 0.67I0 入射光 四面方锥体绒面硅表面的反射光 对于绒面的硅表面，由于入射光产生多次反射而增加了吸收，但也有约11%的反射损失，如图所示。 薄膜干涉 硅 膜 入射光 r1 r2 n0 n nSi d 薄膜引起的光干涉现象 如果在硅的表面制备一层透明的介质膜，由于介质膜的两个界面上的反射光相互干涉(如图)，可以在很宽波长范围内降低反射率。此时反射率由下式给出： 式中，r1、r2分别是外界介质-膜和膜-硅界面上的菲涅尔反射系数；△为膜层厚度引起的位相角。 其中，n0，n和nSi分别为外界介质、膜层和硅的折射率；?0是入射光的波长，d是膜层的实际厚度；nd为膜层的光学厚度。 前式中，r1、r2、△可分别表示为： 减反射膜的厚度和折射率 当波长为?0光垂直入射时，如果膜层光学厚度为?0的四分之一，即nd＝?0/4，则可得： 为了使反射损失减到最小，即希望R?0＝0，就应有： 由此就可求得给定波长为?0所需减反射膜的折射率，而最佳膜层光学厚度是该波长的四分之一，此时反射率最小，接近于零。但当波长偏离?0时，反射率都将增大，并可由前式算出。因此为了使电池输出尽可能增加，应先取一个合理的设计波长?0。这需要考虑两个方面，即太阳光谱的成分和电池的相对光谱响应。 (2) 减反射膜材料的选择 I. 膜的吸收 假定入射光量为100%，可以预计，有一部分(R)被反射掉，有一部分(A)在减反射膜层内被吸收，余下的部分(T)才透过膜层进入硅内，所以可写作： R + A + T = 100% T = 100%－R－A 因此，欲获得最大的透过率(T)，除了反射率(R)要小，膜对光的吸收率(A)也要小。 II. 物