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定量分析——相对灵敏度因子法 引入灵敏度因子Si： Si可查手册获得。 则试样中i元素的浓度Ci为： 此方法不需要纯元素标样，精度低，实用性强。 《现代材料分析技术》 第八章 表面探针分析 X射线光电子能谱 俄歇电子能谱 二次离子质谱 俄歇电子——是用会聚电子束与固体样品表面作用所产生的二次电子，反映元素的能量特征，并从样品的浅表面逸出，逸出过程中没有能量损耗。 AES——通过检测俄歇电子的特征能量来进行材料表面成分分析的方法。 《现代材料分析技术》 AES特点： 高的横向分辨率 高灵敏度 无标样半定量 可在某些条件下给出化学键信息 《现代材料分析技术》 二、AES基本原理 在X射线或高能电子照射下，原子的内层电子可能获得足够的能量而电离，使原子处于不稳定的激发态，较外层电子向内层空位跃迁，原子多余的能量可能通过两种方式释放：①发射X射线；②发射第三个电子——俄歇电子。该过程称为俄歇效应。 1.俄歇电子发射——俄歇效应 《现代材料分析技术》 俄歇电子的动能与入射粒子的类型和能量无关，只是发射原子的特征，可由俄歇跃迁前后原子系统的能量差来计算。 经验公式： 2.俄歇电子的能量 （电子束缚能之差） （修正项） 《现代材料分析技术》 例：计算Ni的KL1L2俄歇电子能量 各种元素的俄歇电子能量和标准谱可查手册获得。 《现代材料分析技术》 原子所处的化学环境的变化会改变其电子轨道，影响到原子势及内层电子的束缚能，从而改变俄歇跃迁的能量，引起俄歇谱峰的位移——称为化学位移。 例如，当元素形成化合物时将改变元素的俄歇电子能量。 化学位移可达几个eV。 化学位移： 《现代材料分析技术》 产额相当于俄歇跃迁的几率，与俄歇谱峰的强度相对应，是元素定量分析的依据。 3. 俄歇电子的产额： 原子序数 俄歇电子产额 特征X射线产额 每个K电子空穴的产额 《现代材料分析技术》 在低原子序数元素中，俄歇过程占主导，而且变化不大。 对于高原子序数元素，X射线发射则成为优先过程。 →俄歇电子与特征X射线两种信号具有互补性，AES适合于氢轻元素，EDS适合于重元素。 俄歇电子的产额： 《现代材料分析技术》 定义： 具有确定能量Ec的电子能够通过而不损失能量的最大距离。 电子逃逸深度=电子非弹性散射的平均自由程。 4. 俄歇电子的逃逸深度： 逃逸深度 入射电子 电子能量损失 《现代材料分析技术》 逃逸深度λ取决于俄歇电子能量，近似与元素种类无关 《现代材料分析技术》 能量为20~2500eV的俄歇电子，逃逸深度为2~10个单原子层。 →AES用于表面0.5~3nm深度内的成分分析 《现代材料分析技术》 直接谱 不同能量的俄歇电子数N(E)随电子能量E的分布曲线。 N(E) — E 曲线 微分谱 二次电子形成谱线的背底。为提高灵敏度，使用微分型能量分布曲线。 dN(E)/dE — E 曲线 5. AES谱 纯银的AES谱 直接谱 微分谱 《现代材料分析技术》 三、AES装置和实验方法 主要由电子光学系统，样品室，能量分析器，信号探测、处理和显示系统等组成。 1.AES结构 《现代材料分析技术》 电子能量分析器： 《现代材料分析技术》 →所探测的电子动能与施加在外筒上的偏压成正比。 《现代材料分析技术》 2. AES测量 电子能量分布曲线 《现代材料分析技术》 能量分析器测出的AES谱实际上是包括俄歇电子在内的二次电子谱。AES峰是信号，二次电子形成背底或干扰。 提高峰背比的方法： 扣除本底→困难、效果差 微分法→简单、有效 《现代材料分析技术》 直接谱与微分谱： 轻微氧化的Fe表面的直接谱和微分谱 《现代材料分析技术》 微分谱的利用： 直接谱上的一个峰在微分谱上是一个“正峰”和一个“负峰”。 以负峰能量作为俄歇电子能量，用于识别元素（定性分析）； 以正负峰的高度差代表俄歇峰的强度，用于定量分析。 《现代材料分析技术》 微分谱特点： 大大提高了峰背比，便于识谱； 使谱峰变窄，减小了重叠峰； 使用峰-峰值很容易确定AES谱峰的强度。 失去了本底所包含的信息； 化学位移使峰形变化时，用峰-峰值代表强度会产生误差。 →直接谱和微分谱都是有用的。 《现代材料分析技术》 3.AES定性分析 原理：根据微分谱峰上负峰位置识别元素 方法：直接与标准谱图对比 工具：《俄歇电子谱手册》（L.E.Davis编） 《现代材料分析技术》 入射电子能量为3keV时Si的标准俄歇微分谱 《现代材料分析技术》 入射电子能量为3keV时SiO2中的Si的标准俄歇微分谱 《现代材料分析技术》 AES定性分析一般步骤： １．先按照最强峰确定可能元素； 　利用