晶体硅太阳 能电池技术发展方向课件教案.pptVIP

晶体硅太阳能电池技术发展方向;太阳能电池的分类;Page *;晶体硅太阳能电池的新技术;分析下表的内容得出以下结论：要将电池的生产成本降低到1美元/WP以下，电池的转换效率必须要高于18%，并要求生产成本低、生产能力高。; 澳大利亚新南威尔士大学研发 钝化发射区和背面局部扩散（PERL）单晶硅电池 ? ＝24.7%;制造过程相当烦琐，涉及到多道光刻工艺，工艺高，很难应用于大规模工业生产。;单晶硅高效化：LBSF电池;◆;◆激光刻槽埋栅电池 ;埋栅电池具有高效的原因是： （1）绒面、减反射膜和背面反射器的结合使太阳光充分被利用； （2）栅指电极只占电池表面积2～4％，遮光率很小，提高短路电流密度； （3）栅指电极排列紧密减小发射极电阻； （4）淡磷扩散避免形成“死层”，增加对短波的吸收； （5）埋栅电极处实行重掺杂使接触电阻降低，有利于欧姆接触； （6）埋栅电极深入到硅衬底内部增加对基区光生电子的收集； （7）浓磷扩散降低浓磷区电阻功耗和栅指电极与衬底的接触电阻功耗，提高电池的开路电压。 ;◆日本Sanyo －a-Si/c-Si异质结（HIT）电池; HIT电池具有高效的原理是： （1）全部制作工艺都是在低温下完成，有效地保护载流子寿命； （2）双面制结，可以充分利用背面光线； （3）表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性； （4）采用的n型硅片其载流子寿命很大，远大于p型硅