天津大学-半导体物理-课件-第一章概要.ppt

半导体物理 天津大学电子信息工程学院 张 为 教材及参考书目 《半导体物理学》刘恩科、朱秉升、罗晋生等编著，电子工业出版社 《半导体器件物理与工艺》(美)A.S.格罗夫著，齐建译 《半导体物理基础》黄昆、韩汝琦著 《半导体器件、物理与工艺》(美)施敏(S.M.Sze)著，王阳元等译 《半导体物理与器件——基本原理》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著 内容简介 半导体的晶格结构和电子状态 杂质和缺陷能级 载流子的统计分布 载流子的散射及导电性 非平衡载流子 pn结 金属半导体接触 半导体表面及MIS结构 第一章 半导体中的电子状态 本章重点 半导体单晶材料中的电子状态及其运动规律 领会“结构决定性质” 处理方法 单电子近似——能带论 单电子近似 假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其它电子的平均势场中运动。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 预备知识 晶体（crystal） 由周期排列的原子构成的物体 重要的半导体晶体 单质：硅、锗 化合物：砷化镓、碳化硅、氮化镓 晶格（lattice）（周期性结构） 基本单元：如简立方、面心立方、体心立方等。 晶胞（cell） 周期性重复单元 固体物理学原胞：最小重复单元 结晶学原胞：为反映对称性选取的最小重复单元的若干倍 1.金刚石结构和共价键 硅、锗：共价半导体 硅、锗晶体结构：金刚石结构 金刚石结构 每个原子周围有四个最邻近的原子，这四个原子处于正四面体的顶角上，任一顶角上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共有，并形成稳定的共价键结构。 sp3杂化，共价键夹角：109?28’ 金刚石结构结晶学原胞 两个面心立方沿立方体空间对角线互相位移了四分之一的空间对角线长度套构而成。 金刚石结构固体物理学原胞 中心有原子的正四面体结构（相同双原子构成的复式晶格） 金刚石结构原子在晶胞内的排列情况 顶角八个，贡献1个原子； 面心六个，贡献3个原子； 晶胞内部4个； 共计8个原子。 硅、锗基本物理参数 晶格常数 硅：0.543089nm 锗：0.565754nm 原子密度 硅：5.00×1022/cm3 锗：4.42×1022/cm3 共价半径 硅：0.117nm 锗：0.122nm 2.闪锌矿型结构和混合键 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 结晶学原胞结构特点： 两类原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线方向彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。 与金刚石结构的区别 共价键具有一定的极性（两类原子的电负性不同），因此晶体不同晶面的物理化学性质不同。 两个不同原子构成的复式晶格。 常见闪锌矿结构半导体材料 Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化镓） 部分Ⅱ-Ⅵ族化合物 Ⅱ族：锌、镉、汞 Ⅵ族：硫、硒、碲 3.纤锌矿型结构 与闪锌矿型结构相比 相同点 以正四面体结构为基础构成 区别 具有六方对称性，而非立方对称性（参见p9页图1-3） 共价键的离子性更强，不同晶面的物理化学性质不同。 硫化锌、硒化锌、硫化镉、硒化镉等材料均可以闪锌矿型和纤锌矿型两种结构结晶 4.其它结构 某些重要的半导体材料以氯化钠型结构结晶（Ⅳ-Ⅵ族化合物） 如：硫化铅、硒化铅、碲化铅等 1.2半导体中的电子状态和能带 1.2.1原子的能级和晶体的能带 孤立原子与晶体的区别 单势场中的运动；周期性势场中的共有化运动 孤立能级；准连续能带，价电子成为准自由电子 能带成因 当N个原子彼此靠近时，原来分属于N个原子的相同的电子能级必然分裂为属于整个晶体的N个（需计入原子本身的简并）能量稍有差别的能级构成的能带。 能带特点 分裂的能带称为允带，允带间的能量范围称为禁带 内层原子受到的束缚强，共有化运动弱，能级分裂小，能带窄；外层原子受束缚弱，共有化运动强，能级分裂明显，能带宽。 以金刚石结构单晶硅材料为例 能级sp3杂化后，硅原子最外层有四个能量状态；若晶体中有N个原子，原子最外层能级分裂后形成两个能带，各包含2N各状态。 能量高的能带全空，称为导带；能量低的能带全满，称为满带或价带。 1.2.2半导体中的电子状态和能带 电子在周期性势场中运动的基本特点和自由电子（处于零势场中）的运动十分相似 自由电子运动规律 基本方程 p = m0v （动量方程） E = ? |p|2/m0 （能量方程） Φ(r,t) = Aei2π(k·r - vt) （波方程） 其中k为波矢，其大小等于波长的倒数1/λ ，方向与波面法线平行，即波的传播方向。 自由电子能量和动量与平面波频率和波矢的关系 E = hν p = hk 考虑一维情况,既选择Ox轴与波的传播方向一致