缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁电阻的影响-物理 光学专业论文.docxVIP

首都师范大学硕士学位论文 首都师范大学硕士学位论文 ( ( PAGE 1) 摘 要 各向异性磁电阻 Anisotropic Magnetoresistance AMR 材料可用来制作磁场传感器 和其它磁场传感器如霍尔器件 半导体磁敏电阻相比 AMR 传感器具有灵敏度高 温度 稳定性好 体积小等优点 NiCo 软磁合金具有比 NiFe 高的 AMR 值 而且其饱和场较 大 可使 NiCo 薄膜磁传感器的工作范围比 NiFe 薄膜传感器更大 NiCo 薄膜的研究有利 于进一步扩大 AMR 传感器的应用领域 i26本文用直流磁控溅射法制备了不同厚度的 Ta/Ni1-xCoxxi13 17 21 26 31at% 薄膜 研究了 Co 的成份 x 对 Ni1-xCox 薄膜的 AMR 值的影响 结果表明 同样厚度的 Ni1-xCox 薄膜的 AMR 值随着 x 的增加先增大后减小 当 x 时 薄膜的 AMR 值最大 XRD 结果显示 Ta(100?)/Ni74Co26 薄膜中出现了较明显的1 1 1衍射峰 i26 34制备了(Ni0.81Fe0.19)1-xCrx(xi26 30 34 38 42at%)/Ni74Co26 薄膜 研究了缓冲层 (Ni0.81Fe0.19)1-xCrx 中 Cr 的含量对 Ni74Co26 薄膜的 AMR 值的影响 结果表明 同样厚度的 Ni74Co26 薄膜的 AMR 值随着 x 的增加先增大后减小 当 xi 时 Ni74Co26 薄膜的 AMR 值最大 34 426制备了(Ni0.81Fe0.19)66Cr3x? /Ni74Co 200? 薄膜 研究了缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34 的厚度 x 对 Ni74Co26 薄膜的 AMR 值的影响 结果显示 随着缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34 的 厚度 x 的增加 薄膜的 AMR 值先增大而后迅速减小 4 26 对比以 Ta 和非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34 为缓冲层的两种 Ni74Co26 薄膜的 AMR 值 结果 表明 用厚度为 45? 的非磁性(Ni0.81Fe0.19)66Cr34 做缓冲层的 Ni74Co26 薄膜 其 AMR 值比 用 Ta 做缓冲层的同样厚度的 Ni74Co26 薄膜的 AMR 值有较大的提高 比如 当 Ni74Co26 的厚度为 125? 时 AMR 值能提高 43XRD 结果表明 缓冲层(Ni0.81Fe0.19)66Cr34 与磁 性层 Ni74Co26 有非常接近的晶格常数 因此导致产生了较大的 AMR 值 本文的结果为较薄的 NiCo 薄膜的各向异性磁电阻的提高提供了新的途径 为 NiCo 薄膜材料在实际器件中的应用提供了有用的工艺参数 为 NiCo 薄膜材料在传感器中的应 用带来了希望 关键词 各向异性磁电阻 缓冲层 薄膜 Abstract Materials with anisotropic magnetoresistance (AMR) can be used as the magnetic sensors which can measure the magnetic fields. Compared with other magnetic sensors such as Hall elements, semiconductor magnetoresistance elements, the AMR sensors have advantages of high sensitivity, good temperature stability and small volume. The NiCo soft alloy has larger AMR value than that of NiFe. And it can be used in the broad range of magnetic fields for its high saturation field. So investigation on the NiCo films will be helpful to extend the application of AMR sensors. xTa/Ni1-xCox 门13 17 21 26 31at% films with different thickness have been prepared by using DC magnetron sputtering and the effect of the Co composition on the AMR value of Ni1-xCox films