半导体材料绪论课件.ppt

《半导体材料》 李斌斌 南京航空航天大学 《半导体材料》教材 教材： 《半导体材料》，邓志杰等编，化学工业出版社 参考书目： 1. 《半导体材料》杨树人 等编，科学出版社 2. 《半导体物理学》刘思科等编，国防工业出版社 讲课内容 第一章 绪论 第二章 半导体材料的基本性质 第三章 元素半导体材料 第四章 化合物半导体材料 第五章 固溶体半导体材料 第六章 非晶、有机和微结构半导体材料 第七章 半导体器件基础 第八章 半导体电子材料 第九章 半导体光电子材料 第十章 其他半导体材料 第十二章 半导体材料的制备 第一章 绪论 1.1 半导体材料的发展简史 1.2 半导体材料的发展趋势 1.3 半导体材料的分类 1.1.1 首次报道半导体 伏特 A. Volta (1745~1827)，意大利物理学家 国际单位制中,电压的单位伏即为纪念他而命名。 1800年，他发明了世界上第一个伏特电池，这是最早的直流电源。从此，人类对电的研究从静电发展到流动电，开拓了电学的研究领域。 他利用静电计对不同材料接地放电，区分了金属，绝缘体和导电性能介于它们之间的“半导体”。 他在给伦敦皇家学会的一篇论文中首先使用了“Semiconductor”（半导体）一词。 1.1.2 半导体的特有性质－负电阻温度系数 法拉第 M. Faraday (1791~1867)，英国英国物理学家、化学家，现代电工科学的奠基者之一。 电容的单位法（拉）即为纪念他而命名。 法拉第发明了第一台电动机，另外法拉第的电磁感应定律是他的一项最伟大的贡献 。 1833年，法拉第就开始研究Ag2S半导体材料，发现了负的电阻温度系数，即随着温度的升高，电阻值下将。 负电阻温度系数是半导体材料的特有性质之一 正、负电阻温度系数 负电阻温度系数 正电阻温度系数 1.1.3 半导体的特有性质－光电导效应 1873年，英国史密斯W.R. Smith用光照在硒的表面，发现了硒的光电导效应，它开创了半导体研究和开发的先河。 所谓光电导效应，是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。 光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。 光电导效应是半导体材料的特有性质之二 光电导示意图 1.1.4 半导体的特有性质－整流效应 布劳恩 K.F. Braun (1850~1918)，德国物理学家。 布劳恩与马可尼共同获得1909年度诺贝尔奖金物理学奖。 1874年，他观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导通，这就是半导体的整流效应。 整流效应是半导体材料的特有性质之三 伏安特性 1.1.5 半导体特有性质－光生伏特效应 1876年，英国物理学家亚当斯(W.G. Adams)发现晶体硒和金属接触在光照射下产生了电动势，这就是半导体光生伏打效应。 光生伏特效应最重要的应用就是把太阳能直接转换成电能，称为太阳能电池。 1954年美国贝尔实验室制成了世界上第一个实用的太阳能电池，效率为4%。 光生伏特效应是半导体材料的特有性质之四 光生伏特效应 1.1.6 半导体的特有性质－霍尔效应 1879年，霍尔(E.H. Hall) 在研究通有电流的导体在磁场中受力，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。 “霍尔效应”就是为纪念霍尔而命名的。 利用“霍尔效应”可以测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数。 霍尔效应是半导体材料的特有性质之五 霍尔效应示意图 1.1.7 半导体发展的限制 在1880年就发现了半导体材料的五大特性： 整流效应、光电导效应、负电阻温度效应、光生伏特效应和霍尔效应 但半导体科学却没有取得迅猛的发展，主要原因在于： （1）半导体理论的发展背景 首先取得突破的是半导体理论的发展 19世纪末，英国物理学家汤姆生在展望20世纪物理学前景时，他指出在物理学晴朗的天空里出现了两朵令人不安的“乌云”，第一朵“乌云”出现在光的波动理论上，第二朵“乌云”就是黑体辐射。 黑体辐射 被加热的物体开始时会发出红