第三章 光辐射探测器.ppt

在绝大多数情况下，热探测器响应度的不平坦可忽略不记，只是在精确光谱量标定时才需考虑。 虽然平坦的光谱响应十分重要，但实际上由于探测器表面黑色层的吸收比不可能是理想平坦的，探测器外面的窗材料不仅限制透过辐射能的波长范围，且在透射谱段的光谱透射比也不完全平坦，故热探测器并不具有完全理想平坦的光谱响应。 3.3 热探测器 3.3.1 热电偶和热偶堆 3.3.2 测辐射热计 3.3.3 热释电探测器 3 3.3.1 热电偶和热偶堆 热电偶是基于两种不同金属在其连接点有温差时会产生热电动势的塞贝克效应。 当一个连接点受光辐照时升温，而另一连接点不受辐照时，在回路中就会产生电流。 热偶堆 把多个热电偶串接构成热偶堆，可提高响应度（N个串联热电偶的热偶堆，其响应度为单个热电偶的N倍。） 由于两连接点相距不远，所以当接在桥式回路中时，环境温度变化的影响可自动补偿，故一般工作在常温下。 热电偶产生的温差电动势V和温度T(K)之间的关系可写成 （3-26） 塞贝克系数(3-31) 由式(3-24)及式(3-26)，可得热电偶的响应度为 在频率很低时，G C, 则 即用高吸收比的表面层、高塞贝克系数且性能稳定的热电偶金属、低热导的结构可使热电偶有较高的响应度。 热噪声和温度噪声是热电偶的主要噪声源 铋-锑 镍铬-镍硅 铜-康铜 铁-康铜 铂10%铑-铂 常用的热电偶 铋-锑的塞贝克系数最高 3.3 3.3.2 测辐射热计 测辐射热计的机理是材料吸收光辐射能引起的温度变化，进而使材料电阻值发生变化。 超导辐射热器 半导体测辐射热器 金属测辐射热器 热敏电阻 简单介绍 探测片和半球（或超半球）透镜贴在一起，以增加辐射能的会聚能力。 烧结成探测片 氧化镍 锰 钴 透镜材料多用锗或蓝宝石 补偿片与探测片相同，但有挡片使它不受辐射的照射，其作用是补偿环境温度变化对测量的影响。 3.3 3.3.3 热释电探测器 热释电探测器一种性能较好的热探测器，具有光谱响应范围平而宽、性能稳定、时间常数小等优点。 热释电探测器是基于某些铁电材料吸收辐射能后温度的变化导致其表面电荷变化，从而在外电路产生信号电流 （3-29） 热释电探测器需要工作在调制光中，因为不调制的辐射能虽然使元件表面产生一定的温度变化，表面电荷很快就会中和完毕，在外电路难以产生持续的信号电流。 热释电材料的表面温度超过某一规定温度时，材料电极化将消失，热释电性能也不复存在，故热释电探测器只能在一定工作温度范围。 由于热释电探测器的性能受负载电路的影响甚大，所以常和放大器封装在一个壳里。 3.3 在实验室进行光辐射测量时，可用一固定频率对信号进行调制。这样，系统的工作频带宽度可减少。 锁频技术可使系统工作在一个很窄的通频带范围内，有利于减少系统噪声。 增加信号的积分时间，缩小测量系统的频带，也可以减少散粒噪声。 （2）产生-复合（G-R）噪声 光导型探测器的G-R噪声是由于半导体内的载流子在产生和复合过程中，自由电子和空穴数随机起伏所形成的，也属于白噪声，相当于光伏型中单向导电P-N结内的散粒噪声。(3-9) （3）热噪声或Johnson噪声 热噪声由电阻材料中离散的载流子（主要是电子）的热运动造成。 热噪声电流的均方值为：(3-10) 使探测器制冷或者探测器及前置放大器一起制冷，可以减少热噪声电流。 （4）1/f 噪声 一般认为，它与半导体的接触、表面、内部存在的势垒有关，所以有时叫做“接触噪声”，其值随信号调制频率的增加而减少 (3-11) (3-12) （5）温度噪声 由热探测器和背景之间的能量交换所造成的探测器自身的温度起伏，称为温度噪声。 （3-13） 只有信号足够强，才能与噪声电流区别开。 信噪比，作为表征探测系统探测能力和精度的一个十分重要的指标，记作SNR (3-14) 2. 噪声等效功率NEP 噪声等效功率是探测器产生与其噪声均方根电压相等的信号所需入射到探测器的辐射功率 (3-15) 用NEP描述探测器探测能力的不便之处 数值越小，表示探测器的探测能力越强，相对缺乏直观性。为此一般引入NEP的倒数——D探测率 （3-16） 更常采用的是采用