半导体技术的发展PPT.ppt

主要内容 一、半导体技术的发展 二、半导体技术的热点 三、探讨的问题 二、半导体技术的热点 1、纳米技术； 2、太阳能电池技术（光电）； 3、LED技术（OLED技术，电光）； 4、FinFET技术。 2、太阳能电池技术； 　 （1）单晶硅太阳能电池 目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，最高的达到24％，单晶硅太阳能电池一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年。 　 （2）多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12％左右。 　 （3）非晶硅太阳能电池 非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，目前国际先进水平为10％左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。 　 2、太阳能电池技术 　4）化合物半导体太阳电池 a) 硫化镉太阳能电池； b) 砷化镓太阳能电池； c) 铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池，光电转化率为18％) 2、太阳能电池技术 　（5）染料敏化太阳能电池 染料敏化太阳能电池（DSC）主要由纳米多孔半导体薄膜、染料敏化剂、氧化还原电解质、对电极和导电基底等几部分组成。纳米多孔半导体薄膜通常为金属氧化物（TiO2、SnO2、ZnO等），聚集在有透明导电膜的玻璃板上作为DSC的负极。对电极作为还原催化剂，通常在带有透明导电膜的玻璃上镀上铂。敏化染料吸附在纳米多孔二氧化钛膜面上。正负极间填充的是含有氧化还原电对的电解质，最常用的是I3/I-。 DSC与传统的太阳电池相比有以下一些优势（附图FTO 导电玻璃上的ZnO纳米片SEM图） a) 寿命长：使用寿命可达15-20年； b) 结构简单、生产工艺简单，易于制造； c) 生产成本较低。 ? ?? ?1991年由瑞士洛桑联邦理工学院首次发表了染料敏化电池的原型，其光电转换效率达到7.1%~7.9%。 2、太阳能电池技术； 从太阳能电池芯片的结构的角度进行分类，太阳能电池专利技术可以分为PN结、PIN结、肖特基结、异质结、MIS结、超晶格能带结构和能带渐变结构。 （1）PN结结构： PN结结构的最早专利申请始于1965年。 （2）PIN结结构，最早专利申请始于1955年。 2、太阳能电池技术； （3）异质结结构： 最早专利申请始于1956年 （4）肖特基结结构： 专利申请始于1966年 2、太阳能电池技术； （5）MIS结结构 专利申请始于1971年 （6）超晶格能带结构 专利申请始于1982年 （7）能带渐变结构 最早专利申请始于1977年 4、FinFET技术 (1) Lowk介质材料的背蚀工艺 (ILD) Low k介质材料 (2) High k介质材料 High k介质材料 材料要求 : 高介电常数 热稳定性 界面质量 易于处理 可靠性 High k介质材料 SiO2 3.9 Si3N4/SiO2 stack 5 - 6 Si3N4 7 Al2O3 10 ZrSiOy, HfSiOx, LaSiOx 10-20 ZrO2, HfO2, La2O3, Y2O3 15-30 crystal Pr2O3 30 High k介质材料 淀积方法： MOCVD PVD (溅射, 蒸发) ALE (原子层淀积) MBE High k介质材料ALD (原子层淀积) High k介质材料 High k介质材料 (3) FinFET FinFET 优点： 尺寸 (L < 10 nm, 20nm) 低功耗 最佳阈值电压 (60 mV / decade) FinFET FinFET-制造 FinFET-制造 FinFET 快闪存储器 三、探讨的问题 改进型产品：集成电路布图、含有计算机软件的制造设备、印刷电路板 （1）印刷电路板能否获取专利保护（版权、外观设计、商业秘密）？ （2）集成电路布图能否获取专利保护（集成电路布图设计保护条例、版权、商业秘密）？ （3）含有计算机软件的制造设备能否获取专利保护？ （1）印刷电路板能否获取专利保护（版权、外观、商业秘密）？ 申请文件如何表述？ 案例1： 权利要求 （2）集成电路布图能否获取专利保护（集成电路布图设计保护条例、版权、商业秘密）？ 申请文件如何表述？ 案例2 （3）含有计算机软件的制造设备能否获取保护？ 申请文件如何表述？ 谢