硅上氮化镓-化合物半导体.PDF

技术技术 | Technology – | Technology – GaNGaN 电子电子 适用于射频功率的 硅上氮化镓 除了用于 600V 及以下的电源管理系统、无线充电和 LIDAR 以外，硅上 氮化镓（GaN on silicon）能否继续赢得下一代 RF 应用（如 5G 和物联网） 的部署呢？ Markus Behet 和Joff Derluyn, EpiGaN 公司 化合物半导体化合物半导体 2018 2018年第年第33期期 1313 技术 | Technology – GaN 电子 几十年来，电子产品的创新倾向于利用硅和 这些变化已促使市场分析专家ABI 公司将 基于GaAs 的技术、器件和集成电路。以蜂 5G 视为一种通用技术，认为它将作为工作流程变 窝基础设施为例：其复杂性从2G 增加到4G-LTE 革的催化剂，并将建立一套新的竞争性经济优势 时，主要是由于得到GaAs HEMT ，HBT 和硅 规则。ABI 表示，这种影响将是巨大的，到2035 LDMOS 器件方面不断改进的支持。 年它将引发12.3 万亿美元的全球经济产出——这 然而，所有这些现有半导体技术都面临一个 与美国当前的年度消费支出水平相当。 问题：它们现在正在逼近其理论极限。因此，系 统级别的任何改进都需要设计工程师付出巨大努 5G 的支柱 力，并且还会不断增加开发成本。鉴于这种状况， 为了满足用户严格的要求，定义5G 路线图 迫切需要一种新的射频半导体技术来介入并实现 的工作组已经为5G 网络设计了一种新颖的架构。 5G 射频系统的目标，而GaN 技术正好达到了这 其三个关键特征之一是使用许多小型网络蜂窝， 个发展阶段。 称为pico 蜂窝和femto 蜂窝。它们将允许高的用 宽禁带GaN 技术绝对不是半导体市场的新事 户密度和低的延迟。5G 系统的另一个关键组成部 物。它已经部署在电源和电机驱动器中了，这些 分是收发器的使用，这些收发器工作在更高的基 都是受益于高效的600V 硅上GaN HEMT 。此外， 带频率，并具有可以满足数字带宽要求的非常大 还有硅上GaN 的RF 产品，用于基站、卫星通信、 的（模拟）带宽。与引入5G 相关的第三个重要 军用和CATV 系统。由于所有这些应用，这两种 创新是从全向广播转向为对每个连接使用定向波 形式的GaN 产品在2017 年的总市场价值达4 亿 束。这将提高能效，并能够更有效地使用RF 频谱。 美元。 可以为5G 架构提供服务的RF 技术有哪些 随着下一代蜂窝基础设施——5G 的出现，另 要求呢？首先，它需要支持在更高频率下运行的 一个收入增长的机会也随之而来。初步部署将于 RF 网络。该频域比现在使用的频域更少拥塞，但 2020 年进行，预计将实现：峰值数据速率达到 是跨越6GHz 到高达100GHz 的范围。该频域内 20Gbit/s ；任何给定区域的大量用户或传感节点； 的新频段将具有更高的可用带宽，理想情况下将 高功率效率，使得每个传输位的功耗更低；延迟 通