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静态工作点稳定电路频率响应的研究
题目
研究旁路电容和静态工作点分别对Q点稳定电路频率响应的影响。
仿真电路
仿真如图。晶体管采用高频小信号晶体管ZTX325。
（a）旁路电容C3变化
（b）耦合电容C1变化
（c）Re变化
三、仿真内容
（1）耦合电容C1和旁路电容C3分别对低频特性的影响。
（2）Re变化时，静态工作点对高频特性的影响。
四、仿真结果
电路参数变化时对频率响应的影响
耦合电容C1/uF
耦合电容
C2/uF
旁路电容C3/uF
射极电阻
Re/ko
中频电压增益/dB
下限频率f/Hz
上限频率f/MHz
10
10
10
1
19.399
1577
3.257
10
10
100
1
19.399
587.802
100
10
10
1
20.054
1577
10
10
10
1.2
19.366
3.484
结论
实验表明，耦合电容C1从10uF变为100uF时下限频率基本不变，而旁路电容Ce从10uF变为100uF时下限频率明显减小。这一方面说明由于Ce所在回路的等效电阻最小，要想改善该电路的低平特性应增大Ce；另一方面说明在分析电路的下限频率时，如果有一个电容所在回路的下限频率就是整个电路的下限频率，而没有必要计算其他其他电容说确定的下限频率，因而计算前的分析是很重要的。
在静态工作点稳定电路中，当射极电阻Re从1k变为1.2k时，放大管的静态集电极电流减少，使跨导gm减少，从而使|k|=gmRl
减少，导致C’减少，上限频率fH增大。上述现象一方面进一步说明增益与带宽的矛盾关系，另一方面说明发射结等效电容与Q点有关，即Q点的设置将影响上限频率。
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