化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取.pdf

　第 33 卷 第 6 期 　　　　　　　　　 　人　工　晶　体　学　报　　　　　　　　　 　　 Vol. 33 　 6 No. 　 2004 年 12 月 　　　　 　　　　　　 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS　　　 　　　　　　 　December ,2004 　 化学机械抛光作用与单晶基片超光滑表面的获取 徐晓冬1 ,2 ( 1. 郑州经济管理学院计算机系 ,郑州 450052 ; 2. 合肥科晶材料技术有限公司 ,合肥 230031) 摘要 :单晶基片的表面光洁度指标是影响后续薄膜生长质量的重要因素。本文通过对比实验的方法 ,就采用 CMP ( ) ( ) chemical mechanical polish 工艺获取超光滑单晶基片做了深入的观察研究 ,并通过 AFM atomic force microscope 的最 终检测结果给出具有说服力的结论。 关键词 :单晶基片 ;化学机械抛光 ;超光滑表面 ( ) 中图分类号:O786 　 　 　 　 文献标识码 :A 　 　 　 文章编号 :1000985X 2004 CMP Effect and Supersmooth Surface Acquirement 1, 2 XU Xiaodong ( 1. Department of Computer , Zhengzhou Academy of Economy and Management , Zhengzhou 450052 ,China ; 2. Hefei Kejing Materials Technology Co. , LTD , Hefei 230031 ,China) ( ) Received 6 August 2004 , accepted 30 August 2004 Abstract :The surface smoothness of the single crystal substrate will be the most important factor , which influences the quality of the epitaxial film growth. This article gives a detailed description about how to get the supersmooth surface o