ISE入门手册 第二章ISE模块简介.doc

第二章ISE模块简介 2.1 DEVICE 主要特征： ? 运用CAD设计二维结构和三维结构及其工艺模拟 ? 通过人机交互的图形用户界面把各阶段形象化。 ? 图形用户界面和ISE网格构划分。 ? 基于ACIS的固定几何模型内核。 ? 通过图形用户界面可记录和重复脚本。 DEVISE有三种独特的运算模式：二维结构设计，三维结构设计，以及三维工艺模拟。几何和工艺模拟可以自由组合，对三维结构的设计提供更多的支持。 2维/3维器件编辑器 通过图形用户界面，用简单的二维和三维图形建立二维和三维器件几何模型。例如矩形，多边形，立方形，圆柱形以及球形。圆形的边缘用角隅填密法，三维边缘混和以及切面处理形成。在已经存在的和新的物体之间的交迭之处的线路可以通过明确的选择来解决，这要顾及到在结构形成中大量的弹性。复杂结构是由简单的交叉元素构成。（见图1）3D结构也可以由简单的二维突起结构或者二维平面构成。 几何结构的搭建是由ACIS几何内核来支持完成。这个几何内核已经得到很好的测试，也已被好几种CAD软件所运用。（不包括TCAD） 设计提供了呈现每个阶段的图样结构，他们的设计以几何结构的形式显示出来。强大的图形过滤功能使得可以观察到整个区域的一小子部分或清楚观察到区域。（见图2） 掺杂抛面和网格构建是交叉定义的。布局和形状是半透明的盒子状的，方便查找。所有的ISE浓度掺杂和网格构建选项都靠MESH和NOFFSET2D/3D支持。网格构建引擎可以通过设计图形用户界面来访问。网格和掺杂抛面的产生可以通过Tecplot-ISE工具自动显示出来。 所用交互式的操作被记录成一个文件，使用户可以运行日志脚本文件来重建器件几何图形。 设计图形用户界面具有命令行窗口的作用，脚本命令可以通过图形用户界面输入，同样命令也可以直接通过DOS命令行输入执行。 器件结构参数 DEVISE输入的脚本文件运用的是类似于LISP的编程语言方案。这使通过运用简单的变量或者其他变量定义的变量，例如if 或 do while模块以及循环，使得创建参数结构变的非常容易。 二维/三维器件编辑 ? CAD所运用的技术 - ACIS 计算几何内核 - CAD文件格式界面 ? 直观的用户界面 - 图形用户界面操作的记录 - 打印粘贴脚本命令 ? 2D和3D简单结构的产生 - 矩形，圆形，多边形。 - 立方形，圆柱形，球体。 ? 拐角和边缘的磨圆 - 角隅填密法和削面法 ? 挤压和削平2D物体 ? 控制交跌处的分辨率 ? 掺杂和网格构建方法的交互精度 ? 掺杂和网格布局的视觉控制 ? 直接调用ISE网格构建引擎 工艺仿真 ?版图和掩模的设计模型 ?淀积和刻蚀 -同向性/各向异性 -多样混合物的选择 ?填充和打磨 ?分解 ?解析抛面 ?完整综合的TCAD模拟仿真。 三维工艺仿真 在工艺仿真模块中，DEVISE转化为工艺步骤，例如，刻蚀，淀积，模型图形设计，填充和打磨。PROCEM 支持多种选择，例如，等方性或同相异向性的刻蚀、淀积、打磨圆脚和混和，来解决特殊的需要。 三维工艺模拟可以进行完整、综合的、与环境相关的工艺仿真。工艺模拟流程可以通过LIGAMENT Flow Editor 方便的模拟出。在CIF or GDS 中的外部版图文件可以通过LIGAMENT 的版图编辑器来输入。 混和与匹配 器件几何设计模型（二维和三维）和三维工艺仿真模型可以自由的结合为一个脚本文件。或者通过DOS命令行输入PROCEM 方案扩展命令从而相互交叉。例如一个几何沟道的产生可以通过一个单一的淀积步骤将一层薄的氧化层涂在上面形成。 图1 运用平滑的方法和其他几何方法形成的二维模型 图2 DEVISE图形用户界面和图像选项 图3 运用几何和工艺模拟步骤设计的挖沟结构的MOSFET器件 图4 浅沟隔离MOSFET 图5 CMOS反向器：掩模版图 图6 CMOS反向器：器件结构 ISE网格形成解决方案 2维/3维网格产生器 ISE为网格的自动生成提供了两种不同阶段技术的方法。基于空格填补技术的MESH产生一列轴线结构的网格以适应边界。网格产生器NOFFSET3D 是完全没有结构规则的它对材料界面的网格元素给以特别的注意。 这两种方法产生的网格都体现了离散化的方法原则从而可被用在ISE的工艺和设计模拟器中。 网格的构建不仅可以用在几何结构上，也可以用在陡坡的掺杂浓度的捕捉上。提高精度是通过各向异性的原理来完成。这种方法用了更少的网格元素从而在不丢失精度的情况下加速了模拟的速度。 工艺模拟器DIOS 和FLOOPS 内嵌了针对2维应用的网格产生器。DI