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西南科技大学硕士研究生学位论文
西南科技大学硕士研究生学位论文 第1页
摘 要
随着等离子体技术的迅速发展,低温低压等离子体在新型材料制备和等 离子体加工领域中地位日趋重要。在利用等离子体化学气相沉积(PCVD)技 术制备薄膜中,制备出的薄膜质量和特性主要取决于放电产生的等离子体的 内部状态,因此诊断其内部状态参数对保证真空镀膜的稳定性和可重复性, 优化等离子体工艺起着决定性作用。螺旋波等离子体作为最新的低温气压等 离子体源,在新型纳米材料制备、超大规模集成电路工艺等方面具有广泛的 应用前景。
本文综合采用Langmuir探针法和发射光谱法对螺旋波诱导的氢等离子 体进行了原位诊断,研究了部分等离子体参数随宏观实验参量的变化规律。
采用自主设计的Langmuir扫描探针原位诊断了不同实验参量下的I.V特 性曲线,根据双曲正切函数的指数变换模型平滑数据,采用Druyvesteyn方 法对数据进行了分析,得到等离子体参数电子密度、有效电子温度和电子能 量几率函数,研究了它们随实验参量的变化规律。
采用发射光谱法诊断了氢原子的Balmer系谱线,利用日冕模型定性分析 了等离子体密度随实验参量的变化规律;利用玻尔兹曼图,研究了氢原子激 发温度的变化规律;根据分子光谱理论研究了Fulcher带系和G.B带,分析 了分子振动温度和转动温度的变化规律。
并对两种方法得到的结果进行了综合分析。同时采用两种方法能够更全 面的反映等离子体状态信息,为低温低压等离子体化学气相沉积制备薄膜研 究提供了重要参考。
关键词:螺旋波等离子体 状态参数Langmuir探针Druyvesteyn方 法发射光谱法玻尔兹曼图
西南科技大学硕士研究生学位论文
西南科技大学硕士研究生学位论文 第1I页
Abstract
With the rapid development of plasma technology,low temperature and low pressure plasma have become more and more important in the field of new material preparation and plasma processing.Plasma chemical vapor deposition (PCVD)in film deposition,characteristics and quality of films are maj orly determined by plasma internal state.Therefore,plasma diagnosis of internal state is very important to guarantee the stability and repeatability of vacuum coating
and optimizing the plasma technology.Helicon plasma,latest plasma source,has broad application prospects in new nano—material preparation,very large-scale integration processing,and SO on.
In this article,the hydrogen plasma induced by helicon—wave is measured in situ by both Langmuir scanning probe and emission spectroscopy.The variations of plasma state parameters with experimental parameters are analyzed.
The I.V characteristic curves are measured in situ by a self-designed Langmuir scanning probe.Raw data is fitted by an exponential transformation to
a tangent hyperbolic function.Electron density,effective electron temperature and electron energy probability function are then calculated and studied according to Druyvesteyn method under different experimental parameters.
Balme
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