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摘要上。在先前的文献报道中,Mn吸附原子只能在室温的Si(儿1)一7×7
摘要
上。在先前的文献报道中,Mn吸附原子只能在室温的Si(儿1)一7×7 表面上形成不规则分布的团簇,团簇的大小接近于7×7的半个单胞。 即便在最近的报道中,S.G.Azatyan等人也未能制备出排列有序、 大小均匀的Mn纳米团簇有序阵列。本文通过精确地控制沉积参数(蒸 发速率、衬底温度等),分别在室温和~260℃的衬底温度下,在 Si(1Ii)一7X7表面上自足装生长了两种不同结构的Mn纳米团簇有序 阵列,即在室温下,Mn团簇占据7×7单胞中有层错(faulted)和 无层错(unfaulted)的两个半胞,形成蜂窝状有序结构。而在~260
℃时,№团簇只占据7X7单胞中有层错的一半,形成六角形对称性 的№纳米团簇阵列。两种有序结构中每个团簇均大约含10个Mn原
子。而已报道的Al、In、Ga等III族元素在室温下的Si(111)一7×7
衬底上不形成有序纳米团簇阵列,只是在衬底温度约200℃左右时才 形成有序团簇结构。每个团簇约含6个原子。我们认为,这些不同之 处是由于锰吸附原子跟衬底之间以及锰吸附原子之间存在着较强的 相互作用造成的。因此,锰纳米团簇有序阵列的自组装过程跟先前文 献中报道的III族金属的情况有较大不同。
(3)锰硅化物反应外延形成的岛和纳米线的结构研究 当衬底温度高260℃时,我们发现沉积在Si(111)一7X7衬底上
的Mn原子不再形成纳米团簇,而是与Si衬底进行反应形成锰硅化物,
这点与先前文献中报道的基本一致,但先前文献中的锰硅化物大多数 是在对沉积的Mn厚膜进行退火的情况下获得的,并且对锰硅化物岛 的结构和组份研究也十分有限。本文对低覆盖度下(≤2ML)锰硅化 物在硅表面的生长情况做了研究,发现在高于~260℃的衬底温度附 近,Mn原子与衬底硅原子发生反应,形成二维平板状岛和三维不规 则形状的岛。当生长温度超过~400℃时,在Si(111)一7x7重构表面 上开始出现一维生长的锰硅化物纳米线。它们的宽度仅lO一30纳米,
长度从几十到几千纳米不等,沿[110],[101]和[011]三个方向外延 生长。这表明除了最近报道的钴(Co)、钛(Ti)和铁(Fe)之外, 锰(Mn)也能够在硅表面上形成一维的硅化物纳米线结构。利用超高 真空扫描隧道显微镜解析的结果,我们分析了平板状岛和纳米线的表 面结构,认为它们分别是由MnSi和MnSi~.,单晶构成的,并根据不规 则形状的岛具有多个晶面和1200棱角的形貌特征,认为它可能是由 Mn。Si。晶粒构成的。这些结果为实现过渡族金属lIrI的纳米结构在Si 表面上的自组装生长打下了新的基础。
关键词扫描隧道显微镜,Si(111),锰,纳米团簇,纳米线
Ⅱ
上海交通大学博上学位论文S田M
上海交通大学博上学位论文
S田M STUDIES OF SELF.ORGANIZED GROⅥ,rIH OF
M A NGANESE AND~【ANGANESE SILICIDE
N A NOSTRUCITURES ON SILICON SURFACES
ABSTRACT
In the last decade,fabrication of low.dimensional nanostrucl:ures has increasingly become attractive to researchers。because the physical and chemical properties of such structures depend on their size and shape,and
thus can be very different from those of their bulk counteroarts.If such
structures have at least one dimension small enough that
quantum.mechanical effects prevail,their properties Call be particularly interesting.For example,magnetic-nanostructures can be made from materials that are non.magnetic in bulk。catalytic activity can be emerge from traditionally inert elements such as gold,and electronic behavior useful for device technology can also been develope
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