福建师范大学数学与计算机科学学院电子技术基础课件第五章 半导体三极管及其应用.pptVIP

《模拟电路》精品课程课件 § 5 .3 放大电路动态分析 2.分压式偏置电路 采用分压式偏置电路稳定工作点。 条件 ：I2IB， 则 UB稳定。 原理： （1）工作原理 （2）静态参数的计算 （3）动态参数的计算 § 5 .3 放大电路动态分析 § 5 .3 放大电路动态分析 思考：若在Re两端并联电容Ce会对Au、Ri、Ro有什么影响？ 返回 §5.4 共集电极和共基极电路 学习目标：1.熟悉共集和共基电路的结构和信号 模型电路 2.了解共集电极电路静态和动态参数 的计算 学习重点：1.掌握共集和共基电路的特点 2.共集电极电路静态和动态分析 第5章 半导体三极管和场效应管及其应用 一、共集电极电路 1.电路结构 §5.4 共集电极和共基极电路 （b）直流通道 2.静态和动态分析 静态分析 §5.4 共集电极和共基极电路v （b）直流通道 * 第5章 半导体三极管和场效应管及其应用 §5.1 三极管的结构和放大 §5.2 共射放大电路的组成与静态分析 §5.3 放大电路动态分析 §5.4 共集电极和共基极电路 §5.1 三极管的结构和放大 学习目标：1.了解三极管的基本结构，熟 悉其放　 　　　大原理 2.掌握三极管电流分配关系，熟悉其 　　　输入、输出特性 学习重点：1.三极管的电流分配关系和放大原理 2.三极管的输出特性曲线和基本参数 第5章半导体三极管和场效应管及其应用 半导体三极管由两个PN结构成。类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 §5.1 三极管的结构和放大 一、三极管的结构和符号 三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 二、三极管的放大作用 §5.1 三极管的结构和放大 1.基本连接方式 共发射极电路 共集电极电路 共基极电路 b e c e c e b e b e c e §5.1 三极管的结构和放大 2.放大条件 I C I B R B U BB U CC R C V V μ A mA + U CE － + U BE － 三极管基本放大电路 内部条件：①发射区杂质浓度基区集电区 　　 ②基区很薄　　 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置 3.内部载流子的运动规律 §5.1 三极管的结构和放大 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例） 4.电流分配关系 ＝ ＋ 5.电流放大关系 ?=△IC /△IB 　　电流放大作用——基极电流较小的变化引起集电极电流较大的变化，即小量控制大量的作用。 §5.1 三极管的结构和放大 三、三极管的特性曲线 １、输入特性曲线 §5.1 三极管的结构和放大 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 （3）uCE ≥1V再增加时，曲线右移很不明显。 （2）当uCE=1V时， 集电结已进入反偏状态，开始收集电子，所以基区复合减少， 在同一uBE 电压下，iB 减小。特性曲线将向右稍微移动一些。 ２、输出特性曲线 （2）截止区：发射结反向偏置，集 电结反向偏置 （3）饱和区：发射结正向偏置，集 电结正向偏置 （1）放大区：发射极正向偏置，集 电结反向偏置 §5.1 三极管的结构和放大 U 输出特性曲线 ３、三极管的基本参数 （１）电流放大系数β： iC= β iB （２）极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+ β ）iCBO （３）极限参数 　　 ①集电极最大允许电流 ICM：?下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。 　　②反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。 　　③集电极最大允许功耗PCM 。 §5.1 三极管的结构和放大 返回 §5. 2 共射放大电路的组成与静态分析 学习目标：1.熟悉共射放大电路的基本组成 2.掌握共射放大电路静态分析方法和 动态工作情况 学习重点：1.共射极放大电路各元件的作用和 静态工作点的分析计算 2.三极管电路动态范围与失真 第5章 半导体三极管和场效应管及其应用 一、共射放大电路的组成 1. 组成 §