河南师范大学模拟电子技术课件7 特性曲线.pptVIP

当UCE≥1V时， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。 但UCE再增加时，曲线右移很不明 显。非平衡少子大多数到达 集电极，集电极电流随集射极 电压无明显变化，此时三极管 内部反馈很小（见输出特性）。 图 共射接法输入特性曲线 输出特性曲线是以IB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明， 当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如： uCE 1 V UBE=0.7 V 则：uCB= uCE- uBE =0.3V 0.7 V 集电区收集电子的能力 很弱，iC主要由uCE决定。 当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 uCE ≥1 V UBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与uCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随uCE增大而右移的 原因是一致的)