吉林大学-第五章+晶闸管电路及其应用.ppt

第五章 晶闸管电路及其应用 第一节 晶闸管 基本结构 工作原理 伏安特性 主要参数 第二节 单向桥式半控整流电路 电阻性负载桥式可控整流电路 电感性负载桥式可控整流电路 第三节 触发电路 单结晶体管触发电路 集成触发电路 二、集成触发电路 第四节 晶闸管的串并联及其保护 晶闸管的串并联 晶闸管的过载保护电路 * * 第一节 晶闸管 第二节 单相桥式半控整流电路 第三节 触发电路 第四节 晶闸管的串并联及其保护 目录 返 回 返回 晶闸管又称可控硅（SCR)（Silicon Controlled Rectifier）是一种大功率半导体器件，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管具有体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）等特点。 返回 螺旋式结构 平板式结构 返回 一、基本结构 P1 P2 N1 N2 四 层 半 导 体 K（阴极） G（控制极） A（阳极） 三 个 PN 结 A K G 符号 晶闸管不导通 无论控制极G与阴极K之间是否加有电压，晶闸管均不能导通。 返回 二、工作原理 P1 P2 N1 N2 N1 P2 A G K 控制极G和阴极K之间不加正向电压 阳极A和阴极K加反向电压 反偏 反偏 阳极A和阴极K加正向电压 正偏 正偏 反偏 控制极G和阴极K之间加正向电压 正向电压足够大时，三个PN结都正偏，晶闸管导通。 K A G VT1 VT2 返回 K A G VT1 VT2 RL UG UA IG β2IG β2IG β1 正反馈 两个晶体管进入饱和导通状态。 晶闸管导通后， UAK≈0.6～1.2V 此时即使去掉控制极与阴极之间的电压，由于本身的正反馈作用晶闸管仍能维持导通。 控制极电压UG的作用仅仅是触发晶闸管的导通 晶闸管的导通条件为： ①阳极和阴极间加正向电压。 ②控制极和阴极间加正向触发电压。 ③阳极电流不小于维持电流。 ①阳极A加反向电压，或不加触发信号。 ②晶闸管正向导通后，若令其关断，必须减小UA（或使UA反向），使晶闸管中电流小于维持电流。 晶闸管的截止条件为： 返回 返回 UAK IA IH IN IG=0 UBO 导通 URO 三、伏安特性 △U IG1 IG2 IG增加 导通电压1V左右 正向折转电压 反向击穿电压 O 返回 四、主要参数 通态平均电流IF：允许通过晶闸管阳极的工频频率正弦波半波电流的平均值。 维持电流IH：在控制极开路的情况下，晶闸管维持导通时的最小阳极电流。正向电流小于IH时，管子自动阻断。 触发电压UG和触发电流IG：晶闸管从阻断到完全导通所需要的最小的控制极直流电压和电流。 返回 正向断态重复峰值电压UFRM：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大正向电压。一般情况下UFRM ＝UBQ×80%。 反向重复峰值电压URRM ：控制极开路的条件下，允许重复作用在晶闸管上的最大反向电压。一般情况下URRM ＝UBQ×80%。 额定电压UD：取UFRM和URRM 中较小的一个数值标为器件的额定电压。 返 回 返回 一、电阻性负载桥式可控整流电路 VH1 VH2 VD1 VD2 RL uo u 1. 电路分析 u正半周(０～π) a(＋) b(－) 电流方向 负半周(π～２π) a(－) b(＋) a b 触发脉冲uG引入控制极 VH1导通、VD2导通 uo＝u VH2导通、VD1导通 + － uo＝－u + － 返回 2. 工作波形 ωt u ωt uG ωt uo ωt uVT1 ? ? O O O O π 2π 3π 返回 3. 参数计算 整流输出电压平均值 输出电流平均值 二极管和晶闸管承受的最高反相电压为 二、电感性负载桥式可控整流电路 u VH1 VH2 VD1 VD2 VD3 uo RL L 加续流二极管VD3后电路工作情况以及负载上电压和电阻性负载类似。 整流器件不导通时，由于电感储能，经续流二极管，负载上的电流仍然存在。 感性负载上的电流接近水平的直线。 返回 返 回 返回 一、单结晶体管触发电路 晶闸管由阻断变为导通的条件： 在阳极和阴极间加上正向电压 在控制极和阴极间加上触发信号 触发信号的要求： 触发脉冲要有足够的功率 触发脉冲要有一定的宽度 触发脉冲必须与主电路同步 触发脉冲要有一定的相移范围 返回 1. 单结晶体管的结构和特性 b2 （第二基极