河南师范大学模拟电子技术课件10 绝缘栅.pptVIP

若0＜uGS＜uGS(th)时，空穴向P衬底下方排斥，出现薄层负离子的耗尽层。 耗尽层中少子向表层运动，不足以形成沟道将漏源沟通，所以不可以形成漏极电流ID。 2)漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 （当uGS＞uGS(th)，且为固定值时，uDS的不同变化对沟道的影响） 二、N沟道耗尽型MOSFET 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 * 1.4.2 绝缘栅型场效应管 增强型(Enhancement) 耗尽型(Depletion) N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 1.4.3 绝缘栅型场效应管 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 一、 N沟导增强型MOSFET(EMOS) 三、 各种FET的特性及使用注意事项 二、 N沟导耗尽型MOSFET(DMOS) N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图：