脉冲激光沉积GaN薄膜及ZnO缓冲层的影响-原子与分子物理专业毕业论文.docxVIP

山东师范大学硕士学位论文微镜表面分析(AFM)和拉曼谱分析(Raman)。 山东师范大学硕士学位论文 微镜表面分析(AFM)和拉曼谱分析(Raman)。 3．研究了制备GaN／znO／Si过程中，氧化锌缓冲层对GaN薄膜的结晶质量、 成分和表面形貌的影响，实验发现，结晶的氧化锌缓冲层对GaN薄膜的初始成核 和退火过程中的生长都有很大的影响。 4．在其它参量不变的情况下，通过改变退火温度或时间来研究它对GaN薄膜 的影响。结果显示，退火温度和退火时间都对薄膜的结构特点有很大的影响。当 氮化稼薄膜在氨分为下退火的过程中，zn—O键断裂，zh原子或O原子离开的六 方纤锌矿结晶结构位置，Ga原子或N原子填充到空缺的位置形成一种特殊成分的 六方结构，这种结构有利于形成GaN薄膜，最后，随着时间的增加，形成质量很 高的GaN薄膜。在我们的实验条件下最佳退火温度为950度，退火时间不能少于 15分钟。 关键词：脉冲激光沉积，退火，GaN薄膜，znO缓冲层 分类号：0484．1 山东师范大学硕士学位论文Pulsed 山东师范大学硕士学位论文 Pulsed laser deposited GaN film and the ef＆ct of Zno buf如r layer Abstract In recent yearS，Wh坨Eite蚰nl岫d Galli哪!1i仃ide(GaN)haS at缸Ic