面向等离子体材料辐照缺陷的演化研究-物理电子学专业毕业论文.docxVIP

I I 摘 要 钼(Mo)和钨(W)材料作为可控核聚变装置中直接面向等离子体的重要候选材料被 广泛的研究，因此我们模拟钼，钨等第一壁候选材料在聚变产物下的辐照损伤物理机 理，对磁约束聚变环形等离子体第一壁材料的抗辐射有非同寻常的帮助。 为完成对钼，钨材料的离子辐照，我们设计了等离子体辐照实验平台。等离子体 辐照实验平台的优点是它能够产生均匀而且高密度的等离子体。在此实验平台我们设 计了低能大流强氦离子对钼靶的辐照实验和改变辐照温度对钨材料的表面损伤作用的 两个实验。低能大流强氦离子对钼靶的辐照实验采用低能（100 eV），大流强(?1021 ions/m2?s) He+在 600℃对钼样品进行辐照实验，考察了离子辐照剂量和退火温度变化对 钼材料的表面损伤作用。 我们使用日本公司生产扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)，以及 无损伤的导电式原子力显微镜(Conductive Atomic Force Microscopy, CAFM)检测技术对 辐照前后样品的微观形貌、微结构演化以及内表面缺陷分布等进行了对比研究。对钨 材料改变辐照温度的实验采用 100 eV 的 He+对钨进行辐照实验，考察了辐照温度变化 （室温-800℃）对钨材料的表面损伤作用。分别采用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、 导电原子力显微镜 (CAFM) 以及