西工大cmos实验报告七.docVIP

实验7带隙基准电路原理与设计 木实验将采用的参考电路原理图如下： Circuits for starting Bandgap Reference WD M3 lfwt48 n*nh i*vt1U rMIB VW w=4u I 2u % nenh MtW - pnp5 not4B GND _ 严 in-1 pnp5 GNO . A m—8 GNP 实验内容： 1?仿真用bipolar实现的二极管的温度系数; 参考右图所示，可得到仿真结果如下所示: I 1U ? ? a ldo= 1 u GND Ld pnp 罗］ VBET m-1 Q3 GND 800b - 780b - ■D0：sw0：v(vbe) 760a 680b -i 740? - 72CU - 700b - 660a H Current X=4.14e+001 Current Y=6.44-001 Derivativ^-1 90e-003 I, 640b H u 620b - 600a - 580b - 560b - 540b 520b - 500b - 480* - 40 Ttmpertturd Qin) (DEG_C) 由仿真结果可以得到:二极管的温度系数为:豁十V/K。 参照原理图，令VREF温度系数为0,计算电阻R0/R1、输岀VREF ； 利用公式Vref=Vhe2+mx^)xVTlnn,欲使匕“温度系数为0,则应其对温度求导 R\ 等于0。 由(1)仿真结果可知：学2 = —19t?V/K,且有学 = 0.087加V/K, m=l, n=8 dT dT 带入式週=也2 + %x()lwx必,即可求得R0/R 1 = 10.5 dT 3T /?, 3T 因为上面的式子是在Vbe^750mVJ = 3Q0K的条件下计算得到的，且知 岭=26计， 带入式子 Vref = % + mx () x VT\n /?,可得岀怙=1.32V。 Ri 设IREF为luA,计算RO、R1；(电阻可以用串并联实现)，电阻模型rrpoly2, 2Kohm/方块，需采用实例化实现. 止=仝啤=5苏 砖竺14K ° 1“ 1x10」 1 10.5 4?仿真Vref随电源电压VDD (0-5V)的变化曲线，给出电路工作良好的VDD 范围； 仿真结果如下图所示： 由仿真结果可观察得到：电路工作良好的VDD范圉为2V-5Vo 5.仿真Vref随温度（?40?120）的变化曲线，调节电阻值使电压随温度变化较小 （小于5mV）,计算温度漂移系数XX ppm/°C * 扫描结果如下： 由仿真结果可知：当R。= 529 由仿真结果可知：当R。= 529K时，电压随温度变化最小。 则当电阻Ro= 52.9K时，电压随温度变化的仿真图如下所示: 从」is 文件中可得到 vmax= 1.3179E+00 , vmin= 1.3170E+00 可求得此时的温度漂移系数： 最大的电压差值（V） :J06 1.3179-1.3170x 1()6 =4.27平均电压（v）x温度变化范围cr 1.3179-1.3170 x 1()6 =4.27 (1.3179 + 1.3170)/2x(120 + 40) 附录：SP源文件 1?仿真用bipolar实现的二极管的温度系数 .2012303527 .protect .lib WHSPICE.LIB* TT .lib WHSPICE.LIB1 TT_BIP .lib WHSPICE.LIB* TT_RES .unprotect ▲ T ■ J b.、广?、f、f q2 gnd gnd vbe pnp5 M=1 iO vdd vbe 1 u vvdd vdd 0 5 vgnd gnd 0 0 .DC temp -40 125 0.1 .probe v(vbe) .end 仿真Vref随电源电压VDD (0-5V)的变化曲线，给出电路工作良好的VDD 范围； .2012303527 ■2?n t 朮平平平平平平朮朮朮朮朮丿［j匕］/不不不不不不不不节不不不不不不不不不不不不节不不 .protect .lib \\HSPICE.LIB, TT .lib WHSPICE.LIB TT_BIP .lib WHSPICE.LIB1 TT_RES .unprotect ??? ??“ ??“ ??“ ??“ ??? ??? ??? ??“ ??“ ??“ ??“ ??? ?:■ ??? ??“ ??“ ??“ ??“ ??? ??? rTw rTw rTw rTw rTw rTw rY* rT* rT* rT* rTw rTw rTw rTw rTw rTw rT* rT* rT* rT* rTw rTw rTw rTw rTw rY* rT* rT* rT* rT* rTw r