05结型场效应晶体管09版.pptVIP

沟道电流 其中 所以沟道电流 而栅结是单边突变结： 所以沟道电流 又因为 所以对上式在整个沟道进行积分 可得： 而栅结是单边突变结： 所以可以得到 非饱和区I-V方程： 再看看饱和区直流电流、电压方程： 饱和区沟道被夹断，前面非饱和区方程已经不适用了，那么如何求饱和区的电流电压方程呢？ 饱和区I-V方程：下页 饱和区I-V方程：下页 最大饱和漏极电流 本征夹断电压－－漏源电压为零时 返回跨导 2） JFET的直流参数 a 夹断电压VP： b 最大饱和漏极电流 c 最小沟道电阻Rmin: d 栅极截止电流IGSS和栅源输入电阻RGS VGS=0、VDS足够小时的沟道电阻 导电沟道消失所需的栅源电压 栅结反向漏电流 饱和区中VDS=VGS时漏源电流 e 漏源击穿电压、输出功率 演示耗尽区随栅源电压变大而变宽直到填充整个沟道区的动画 沟道夹断前 P P 如何求解JFET的夹断电压呢？ a 夹断电压： 导电沟道消失所需的栅源电压 栅结是单边突变结，其空间电荷区的宽度为 所以沟道刚好夹断时，栅结空间电荷区的宽度为 由此可以得到JFET的夹断电压为 b 最大饱和漏极电流 饱和区中VD=VGS时的漏源电流 饱和区I-V方程： c 最小沟道电阻Rmin: VGS=0、VDS足够小时的沟道电阻 P P d 栅极截止电流IGSS和栅源输入电阻RGS 栅极截止电流：由于其栅结总是处于反偏状态，所以栅极截止电流就是PN结少子反向扩散电流、势垒区产生电流、表面漏电流的总和。其值10-9～10-12A之间 栅源输入阻抗：栅结反偏状态，所以栅源输入阻抗相当高。其值108欧姆以上。 e 漏源击穿电压 最大漏极电流 最高漏源峰值电压 f 输出功率 由 得 思考：漏源击穿如何发生？击穿类型？ 3）直流特性的非理想效应 a 、沟道长度调制效应 b 、速度饱和效应 c 、亚阈值电流（了解） a 、沟道长度调制效应 下面看看考虑了沟长调制效应后，饱和区电 流－电压特性的表达式。 由图可见，有效沟道长度为 忽略空间电荷区中由于电流产生的电荷，沟道耗尽层长度在一级近似下可按单边突变结耗尽层的模型计算，即 最大饱和漏电流为 所以漏电流为 实际应用中，考虑了沟长调制效应之后，饱和区电流－电压特性常常写成下面的形式： 式中 为沟长调制系数，其定义如下： 以上讨论说明，由于有效沟道长度随漏源电压变化，饱和区漏源电流变成了 的函数。 对于高频MESFET，典型的沟长为 级，由于沟长很短，所以沟道长度调制效应影响较大。 4）速度饱和效应 以前讨论均认为沟道载流子迁移率为常数，这在沟道场强较低时是成立－－比如沟道较长时 但是现代JFET和MESFET中，沟道仅1～2微米，甚至更短。即使只有几伏漏源电压，沟道中平均场强也可达到10kV/cm以上，使沟道载流子速度饱和。 关于电子漂移速 度随电场变化的 关系可见右图 b 、速度饱和效应 沟道加上漏电压后，沟道厚度由源端到漏端逐渐变薄，所以载流子的速度首先在沟道靠近漏端处饱和，当载流子速度饱和后，漏电流也因此饱和，设载流子速度饱和处的耗尽区厚度为饱和厚度 ，则有 实践证明，短沟道器件的速度饱和效应使器件提前饱和，导致JFET的有效增益降低。 c 、亚阈值电流 （了解） 对于耗尽型器件，当 小于阈值电压 时，漏源之间的漏电流称为亚阈值电流（此时器件本应截止，漏源电流理想情况下为零）。此电流的主要成份为扩散电流。 4）低频小信号参数 跨导、漏电导 在交流电路中，器件的端电流和端电压均随时间变化，但在“小信号”的情况下，其变化量比热电势还小得多，因此，可以忽略电荷的储存效应，采用“准静态”近似的方法来讨论其交流电流电压特性。 在下面的分析中，本应是交流参量，都将直接写成直流参量，但应理解为准静态参量，并借用前面已经推导出的直流特性的一些结论。 下面我们来讨论几个比较重要的交流参数： * * * * 场效应管的分类 场 效 应 晶 体 管 场效应管的特点及应用举例 本书主要介绍的是？ 什么是场效应管 先学习结型场效应晶体管 按其结构及制作工艺，可分为： 1. 结型栅场效应晶体管，包括肖特基栅场效应晶体管 2. 绝缘栅场效应晶体管 3. 薄膜场效应晶体管 场效应管的分类 什么是场效应管 （单极型场效应晶体管） 它通过改变导电沟道的导电能力，从而 调制通过沟道的电流 FET的直流输入阻抗很高，一般可达 双极型晶体管输入阻抗