PN结——电容特性知识.ppt

结——单向导电特性;VD; 当外加电压发生变化时，空间电荷的宽度要相应地随之改变，即存储的电荷量要随之变化，如同电容充放电。 二极管的两极之间有电容，它由两部分组成： ;平行板电容——平行板宽度是一定的; 势垒电容;. 当结正向偏置电压升高时;. 当结正向偏置电压降低时;势垒电容 结交界处两端电压改变时，会引起积累在结的空间电荷浓度发生改变，这类似于电容的充放电现象，从而显示出结的电容效应，称为势垒电容。;势垒 电容的充电过程： 结论：正偏加大→空间电荷区变窄→极板距离减小→ ↑ 反偏加大→空间电荷区变宽→极板距离增大→ ↓; 扩散电容; 结正偏时，由区扩散到区的电子（非平衡少子），堆积在 区内紧靠结的附近，到远离交界面处，形成一定的浓度梯度分布曲线。电压增大，正向（扩散）电流增大。;△变化时，区积累的非平衡少子浓度分布图;结正向偏置电压越高，积累的非平衡少子越多。 这种电容效应用扩散电容表征。;小结：;变容二极管的符号及特性曲线;变容二极管及其应用示例; 金属与半导体的接触;半导体的功函数：?为电子的亲和能，它表示要使半导体 导带底部的电子逸出体外所需要的最小能量。 半导体的功函数：