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驱动单相 BLDC 电机 如何使用低成本单片机驱动单绕组单相无刷直流电机 ______________________________________________________________ Microchip Technology Inc. 团队主管Mark Pallones 应用工程师 Mike Gomez 对于低功耗电机应用，成本比复杂性更为重要，并且对转矩的要求较低，因此单相无 刷直流（BLDC ）电机是三相电机不错的替代方案。 此类电机结构简单，易于制造，因此成本较低。此外，它只需要使用单位置传感器和 一些驱动器开关即可控制电机绕组并为其供电。因此，可以轻松地在电机和控制用电 子元器件之间做出权衡。为保持成本效益，需要使用低成本的电机驱动器。本文介绍 的驱动器电路会利用两个反馈回路。一个是内层回路，负责控制换向；另一个是外层 回路，负责控制转速。电机转速以外部模拟电压作为参考，而且会检测出过流和过温 故障。 图1显示了基于Microchip的8位单片机PIC16F1613的单相驱动器。选择这款单片机是 因为其引脚数较少，并且片上外设可以控制驱动器开关、测量电机转速、预测转子位 置以及实现故障检测。本应用使用以下外设：互补波形发生器（CWG）、信号测量定 时器（SMT）、模数转换器（ADC ）、数模转换器（DAC ）、捕捉/比较/脉宽调制（CCP ）、 固定参考电压（FVR）、定时器、比较器和温度指示器。上述外设通过固件在内部进 行连接，因此可减少所需的外部引脚数。 图1：单相BLDC驱动器框图 全桥电路为电机绕组供电，且由CWG输出进行控制。霍尔传感器用于确定转子位置。 流过电机绕组的电流通过检测电阻Rshunt转换为电压，从而实现过流保护。转速以外 部模拟输入作为参考。图2显示了电机驱动器控制框图；对于本应用，电机额定电压为 1 5V，额定转速为2400转/分钟。电机驱动器电源电压为9V 。参考转速可以是任一模拟 输入。单片机的ADC模块具有10位分辨率以及最多8个通道，因此适用于各类模拟输 入。ADC模块用于提供参考转速和初始PWM 占空比，从而根据参考转速源对电机转速 进行初始化。 图2：电机驱动器控制框图 初始占空比可根据比例积分（PI）控制器的结果以及CCP 中加载的新占空比值进行增 减，相应的PWM输出用作CWG的初始源以控制全桥驱动器下桥臂开关的调制，从而 控制电机转速。 内层回路 内层反馈回路负责控制换向。CWG输出用于控制定子绕组的激励，它取决于霍尔传感 器输出的状态（霍尔传感器输出将通过比较器与FVR进行比较）。将使能比较器迟滞， 以屏蔽传感器输出中的噪声。 比较器输出可在正向全桥模式与反向全桥模式之间切换，从而使电机实现顺时针或逆 时针旋转。CWG输出将馈入全桥电路的开关的输入。要生成一个电气周期，必须执行 一次正反向组合。电机机械旋转一周需要两个电气周期，因此必须执行两次正反向组 合电机才能完成一次顺时针旋转。 全桥电路 图3所示的全桥电路主要由两个P沟道MOSFET （用作上桥臂开关）和两个N沟道 MOSFET （用作下桥臂开关）组成。P沟道晶体管的主要优势在于可以在上桥臂开关 位置轻松实现栅极驱动，从而降低上桥臂栅极驱动电路的成本。虽然上桥臂开关和下 桥臂开关可同时开关（跨导），但应避免这种开关操作，否则将产生直通电流，导致 驱动器元件损坏。为避免这种操作，可使用CWG的计数器寄存器来实现死区延时。这 样可避免输出信号发生重叠，继而防止上桥臂和下桥臂同时导通。理想情况下，N沟 道MOSFET和P沟道MOSFET应具有相同的导通电阻（RDSon）和总栅极电荷QG， 以便获得最佳的开关特性。因此，最好选择一对互补的MOSFET来匹配上述参数。但 实际上，由于互补MOSFET的结构不同，无法达到此要求；P沟道器件的芯片尺寸必 2 须是N沟道器件的2到3倍才能匹配RDSon性能。但是，芯片尺寸越大，QG的影响也越 大。因此，选择MOSFET时，务必先确定RDSon和QG二者中哪个对开关性能的影响 更大，然后再相应地