第三章节1(三极管)西北工业大学模拟电子技术基础资料.ppt

电压放大倍数： ? 1 输入电阻： 输出电阻： us RB + uo ? RL ib ic ii rbe ? ib RE Rs + ? RB ib ic ii rbe ? ib RE Rs us = 0 + u ? i iRE R?S = Rs // RB i = iRE – ib – ? ib 射极输出器特点 Au ? 1 输入输出同相 Ri 高 Ro 低 用途：输入级 输出级 中间隔离级 例 2.5.1 ? =120，RB = 300 k?，r?bb= 200 ?， UBEQ = 0.7 V, RE = RL = Rs = 1 k?，VCC = 12V。 求：“Q ”，Au，Ri，Ro。 IBQ IEQ + C1 RS + ui – RE RB +VCC C2 RL + – + uo – + us [解] 1)求 “Q” IBQ = (VCC – UBE) / [RB + (1+ ? ) RE] = (12 – 0.7) / [300 +121 ? 1] ? 27 (?A) IEQ ? ? I BQ = 3.2 (mA) UCEQ = VCC – ICQ RE = 12 – 3.2 ? 1 = 8.8 (V) 2)求 Au，Ri，Ro Rbe = 200 + 26 / 0.027 ? 1.18 (k?) Ri = 300//(1.18 ?121) = 51.2 (k?) RL?= 1 // 1 = 0.4 (k?) 提高 Ri 的电路： 无 C3、RB3： Ri = (RB1 // RB2) // [rbe + (1 + ? ) RE] Ri = 50 // 510 = 45 (k?) Ri = (RB3 + RB1 // RB2) // [rbe + (1+ ? )RE] Ri = (100 + 50) // 510 = 115 (k?) 无 C3 有 RB3 ： 接 C3 ： RB3 // rbe ? rbe Ri = rbe+ (1 + ?) (R?B// RE) = (1 + ?) (R?B // RE ) Ri = 51 ? 50 // 10 = 425 (k?) + C1 RS RE RB1 +VCC C2 + – + uo – + us + RB2 RB3 C3 ? = 50 100 k? 100 k? 100 k? 10 k? R?B + uo ? ib ic ii rbe ? ib RE + ui ? RB3 3.9　共基极放大电路 1、共基极放大电路组成 +VCC RC C2 C3 RL RE + + + RB1 RB2 RS + us ? + uo ? C1 2、求“Q”(略) 3、性能指标分析 Ri R?i Ro Ro = RC 特点： 1. Au 大小与共射电路相同。 2. 输入电阻小，Aus 小。 RC RE RS + us ? RL + uo ? RC RE RS + us ? RL rBE io ic ie ii ib ? ib + ui ? 3.9　场效应管放大电路 3.9.2 场效应管电路小信号 等效电路分析法 3.9.1 场效应管放大电路的组态 3.9.1 场效应管放大电路的组态 三种组态： 共源、共漏、共栅 特 点： 输入电阻极高， 噪声低，热稳定性好 1、直流偏置电路 1）. 自给偏压电路 +UDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG RS G S D 栅极电阻 RG 的作用： (1)为栅偏压提供通路 (2)泻放栅极积累电荷 源极电阻 RS 的作用： 提供负栅偏压 漏极电阻 RD 的作用： 把 iD 的变化变为 uDS 的变化 UGSQ = UGQ – USQ = – IDQRS +UDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG RS G S D 2）. 分压式自偏压电路 调整电阻的大小，可获得： UGSQ 0 UGSQ = 0 UGSQ 0 RL +UDD RD C2 CS + + + uo ? C1 + ui ? RG2 RS G S D RG1 RG3 例1 耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 M?， RS = 2 k?，RD= 12 k? ，VDD = 20 V。 IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，求 iD 和 uO 。 ? iG = 0 ? uGS = ? iDRS RD G D S RG RS iD + uO – + UDD – iD1= 4