重庆交通大学机电与车辆工程学院电子技术（模拟电路）课件第1章 半导体.pptVIP

1.1 半导体基础和半导体二极管 1.2 双极型半导体三极管 1.3 场效应半导体三极管 1.4 晶闸管(可控硅SCR) ;1.1 半导体基础和半导体二极管;热激发产生自由电子和空穴;空穴运动;* 本征半导体有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。 * 热激发产生的自由电子和空穴是成对出现的，电子和空穴又可能重新结合而成对消失，称为复合。 * 在一定温度下本征半导体的自由电子和空穴维持一定的浓度，导电能力很弱。; 2. 掺杂半导体;P型半导体; *无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 *多数载流子的数量由掺入的杂质的浓度决定，掺杂浓度越高多数载流子的数量越多。 * 少数载流子数量是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。;3．PN结及其单向导电性;多子扩散; ① 外加正向电压（也叫正向偏置） 外加电场与内电场方向相反，内电场削弱，多子扩散运动大大超过少子漂移运动，形成较大的正向电流，这时称PN结处于导通状态。;② 外加反向电压（也叫反向偏置）;1.1.2 半导体二极管;2．半导体二极管的伏安特性曲线; 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT=kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300K），则有VT=26mV。;3. 二极管模型;（3）折线模型;4．半导体二极管的主要参数;1.1.3 稳压管及其它类型二极管;（1）稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ/ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZIZM ;发光二极管—— 激光光头,电源显示;例 在图中，已知稳压二极管的ＶＺ＝6.3V，当Vｉ＝±20V，R＝lkΩ，求VO?已知稳压二极管的正向压降VＤ＝0．7V。;光电二极管——远红外线接收管,太阳能光电池;变容二极管——电视调谐;1.2 半导体三极管;NPN型;1.2.2 电流分配和电流放大作用; 实验表明IC比IB大数十至数百倍，IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大作用。; 有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出， 这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。;定义共射直流电流放大系数;定义共基直流电流放大系数;例：UCE=6V时：IB = 40?A, IC =1.5mA； IB = 60?A, IC =2.3mA。;1.2.3 三极管的特性曲线;UCE ?1V;iC=f(vCE)? iB=常数;IC/mA ;IC/mA ;IC(mA );1.2.4 三极管的主要参数; ;半导体三极管图片;三极管的类型判定; 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 ;1.3.1 结型场效应三极管;Date; 2 结型场效应管的工作原理; ① 栅源电压VGS对沟道的控制作用; ② 漏源电压VDS对沟道的控制作用; 3 结型场效应管的特性曲线;当VGS＝0时，ID达到最大，VGS负值越大，则ID愈小。当VGS等于夹断电压VP时，ID≈0 ;击穿区 表示当VDS升高到一定程度后，反向偏置的PN结被击穿，ID将迅速增大。如果电流过大，管子将被损坏。 ;4 结型场效应管特性曲线小结; 绝缘栅型场效应三极管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为;;P;P;P;漏源电压VDS的控制作用;VGS ＜ VT，管子截止 VGS ＞VT，管子导通 VGS 越大，沟道越宽，电阻越小,在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大; 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。跨导的定义 gm=?ID/?VGS? VDS=常数 (单位mS);ID=f(VDS)?VGS=常数;2 N沟道耗尽型MOSFET;输出特性曲线;1.3.3 场效应管的参数; ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，