7 半导体存储器.ppt

微机原理及应用 7 微机基础 本章主要内容： 7.1 存储器概述 7.2 随机存取存储器 7.3 只读存储器 7.4 CPU与存储器的连接 7.5 IBM PC/XT中的存储器 存储器概述 存储器：是计算机系统中的记忆装置，主要用来存放程序、数据和中间结果等。更确切地讲，存储器是存放二进制编码信息的硬件装置。 存储器的类型 1、按工作时与CPU交换信息的方式分类： 内存：可与CPU直接交换信息，速度快，容量有限。 外存：如软磁盘、硬磁盘、光盘，磁带等。外存是计算机的外部设备。外存不可直接与CPU交换信息，必须通过专门的设备才能读写外存。 外存信息调入内存后才能供CPU使用。外存速度慢，外存可更换，因此容量可视为无限大。 2、按存储元件材料分类： 早期的计算机内存使用磁芯，在微型计算机中，内存一般都使用半导体存储器。外存常用的是磁存储器(如软磁盘、硬磁盘、磁带)和集光学、机械、电子等技术为一体的光盘存储器。 存储器的类型 3．按存储器使用功能分类： 随机存储器RAM 可随机读写，断电后信息丢失，一般用于存储各种现场的输入输出数据，中间计算结果，与外存交换的信息和作堆栈用。 只读存储器ROM 只能一次写入，可随时读出，断电后信息不丢失。一般用来存储固定的程序和确定的数据，比如计算机的系统程序、一些固定表格等，如IBM PC机中的BIOS程序就固化在ROM中。 存储器的类型 存储器的性能指标 随机读写存储器RAM 分类：双极型和MOS型两种。 双极型： 优点：存取速度高 缺点：功耗大，集成度低，成本高 主要用于高速微型计算机中。 2. MOS型： 又分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两种，广泛用于微机中。 随机读写存储器RAM l?SRAM：用六管稳态存储电路作为基本存储单元，存取速度快，电路简单，不需刷新。但集成度较低，功耗较大，成本较高，容量有限，只适用于存储容量不大的场合。 常用的SRAM芯片有： 2114：1K*4 ; 6116：2K*8; 6264：8K*8 62128：16K*8 62256：32K*8 6116(2K*8)的技术指标：采用CMOS工艺制造，单+5V电源，额定功率160mW，典型存取时间100ns，24线双列直插式封装。 6116的引脚和功能图见书P247 图7-3。 随机读写存储器RAM l?DRAM：基本存储电路为带驱动晶体管的电容，即单管动态存储电路。电容上有和无电荷对应被视为逻辑1和0。 DRAM功耗低，结构简单，集成度高，生产成本低。但由于电容漏电，仅能维持2ms左右，故需要专门电路定期进行刷新，以维持其中所存的数据。现在用的内存大多数是由DRAM构成的。 典型的DRAM芯片有：2164：64K*1、2116 2164A的存储单元组织结构见书P249 图7-7。 只读存储器ROM ROM的分类： 掩膜ROM 可编程ROM(PROM) 紫外线可擦除可编程ROM(EPROM) 电可擦除可编程ROM(EEPROM 或记作E2PROM) l?掩膜ROM：通过掩膜工艺技术编程，用户不能修改。。 l?PROM：可由用户编程但只能写入一次的ROM。出厂时PROM为熔丝断裂型，未写入时每个基本存储电路都是一个带熔丝的三极管或二极管。编程后丝断为“1”，未断者为“0”。 只读存储器ROM lEPROM：可以用编程器写入，用紫外线灯照射擦除，可反复使用。在芯片上开有一石英窗口，当芯片置于紫外线下照射时，高能光子与EPROM中的电子相碰撞，将其驱散，于是以电荷形式存储的信息即被擦除。按整片擦除，需离线擦除。 lE2PROM：可以字节为单位在线电改写与电擦除，并能在断电情况下保持修改结果。常见的E2PROM芯片有2816(2K*8), 2817(2K*8), 2864(8K*8)等。 半导体存储器的结构 半导体存储器的结构 半导体存储器的结构 存储器与CPU的接口 存储器与CPU连接时需考虑的问题： 1．CPU总线的带负载能力 CPU通过总线与ROM、RAM及输入/输出接口相连接时的负载能力； 2．存储器组织、地址分配 依系统要求的存储容量选择相应的存储芯片接口时，其总线的具体连接方法以及如何对存储器的存储单元进行地址分配； 3．CPU时序与存储器存取速度之间的配合 CPU与存储器接口时工作速度是否匹配。 CPU与存储器的连接 l地址线：芯片地址线的位数决定了芯片可寻址的范围。 l数据线：芯片的数据线有1条、4条、8条之分。需将芯片组合成与系统数据线相同的宽度。 l控制线：片选信号，读写控制信号，对动