宽带p-CuSCN薄膜弱碱条件下的电沉积-材料学专业毕业论文.docxVIP

宽带p-CuSCN薄膜弱碱条件下的电沉积-材料学专业毕业论文.docx

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摘要纳米晶太阳能电池(NPC)以其工艺简单,成本低廉等优势成为太阳能电池 摘要 纳米晶太阳能电池(NPC)以其工艺简单,成本低廉等优势成为太阳能电池 领域的研究热点。本文综述了各种太阳能电池的发展情况,研究了NPC电池固 体空穴传输层CuSCN薄膜的电沉积制备及其在ZnO棒晶阵列中的填充过程和机 理。 本文采用TEA作为络合剂制各出稳定的CuSCN的弱碱性水基电沉积溶液, pH值约为8.5~9,从而能确保不耐酸腐蚀的基底材料被有效使用;电沉积制备出 了致密度高,透光性好及具有P型电导的CuSCN半导体薄膜;采用FESEM、 XRD、XPS、UV-VIS表征了薄膜的结晶形貌、相组成、化学组成、透光率和带 隙值。研究了各种工艺参数,如阴极沉积电压、电沉积溶液的组成、沉积时问和 沉积温度等对沉积过程和薄膜结构与性能的影响。结果表明,这些工艺参数对电 沉积薄膜的沉积速率、晶粒尺寸和致密度、晶粒的生长方向等有重要影响。 最后,本文研究了CuSCN在ZnO棒晶阵列上的成核和生长过程,并由此提 出了CuSCN在ZnO棒晶阵列中填充时的反偏压内建电场沉积机理;电沉积制得 的CuSCN/ZnO互穿异质结具有良好的整流特性说明n型ZnO和P型CuSCN之 间形成了很好的界面结合;制得的CuSCN/ZnO互穿异质结的透光性能主要由 ZnO棒晶阵列的纳米结构所决定。 关键词:CuSCN薄膜;电化学沉积:TEA;弱碱性水基电沉积溶液 ABSTRACTNanocrystal ABSTRACT Nanocrystal photo-eletrochemical eeUs(NPC)have been widely studied due to their low cost and simple technology.In this paper,developments on NPC cells and its solid hole conducting layers were reviewed.Electrodeposition of CuSCN thin film as the hole conducting material as well as its filling in ZnO rod arrays was investigated. A stable aqueous electrolyte solution containing Cu2+and SCN。was prepared bY adding triethanolamine(TEA,N(CH2CH20H)3)to chelate with Cu(II)cations.The electrolyte solutions were basic with pH values in the range of 8.5-9 and could be used in the electrodeposition of CuSCN as hole conducting layer on the substrates which were afraid of acid from acidic etching.The P-type CuSCN thin films with hi曲 transmittance were potentiostatically deposited on ITO glass substrates by the as—prepared aqueous electrolyte solution.The crystalline morphology,phase composition,chemical composition,optical transmittance and energy band gap of CuSCN films were analyzed by FESEM,XRD,XPS and UV-VIS.The influence of the electrodepositon parameters,such as applied potentials,electrolyte components, depositon time and deposition temperatures on particle morphology,phase and stoichiometry of the CuSCN films were investigated. Nucleation and growth of CuSCN on ZnO rod arrays was studied.Homogeneous growth of CuSCN on ZnO rod arrays should

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