利用固体碳源在介电层上生长掺杂石墨烯-材料科学与工程专业论文.docxVIP

I I 利用固体碳源在介电层上生长掺杂石墨烯 中文摘要 中文摘要 石墨烯因其独特的电子结构而具有很多优异的物理化学性质，如高的机械强 度和硬度，超高的载流子迁移率、优异的电学和热学性质以及良好的透光性等， 因而可广泛应用于透明导电薄膜、气体传感器、催化、超级电容器和场效应晶体 管等领域。然而本征石墨烯的零带隙特性限制了其在电子领域的广泛应用。掺杂 可以打开石墨烯的带隙，掺杂调控对于石墨烯基电子功能器件的构筑至关重要。 自从用机械剥离法从石墨中分离出石墨烯以来，很多方法被应用于合成石墨 烯，例如液相剥离法、化学氧化还原法、有机合成法、高温热解 SiC 外延生长法 等，化学气相沉积法在近年里更是被广泛用于制备大面积、连续的、高质量的石 墨烯。但是，在石墨烯领域取得重大研究进展的同时，我们仍然面临着很多挑战。 例如化学气相沉积法制备的石墨烯生长在铜、镍等金属催化剂表面，在实际应用 （特别是电子应用）中需要转移至其他基底（如介电材料基底）上。研究表明， 因转移过程会引起石墨烯的污染、破损，影响石墨烯的质量，大大阻碍了石墨烯 的实际应用。 在绝缘基底上生长出高质量、大面积石墨烯是电子应用的迫切需求，在这篇 论文中我们介绍了一种利用多环芳烃(例如并五苯，Alq3，TPB 和 F16CuPc)作为固 体碳源，金属 Cu 作为催化剂，无需转移直接在绝缘基底上生长石墨烯的新方法。 研究发现具有平面结构的有机小分子更利于石墨烯薄膜的生长。随后利用 TPB 分 别探讨了升温速率、碳源厚度、生长温度、生长时间和催化剂的厚度对生长石墨 烯的质量的影响。研究结果表明，优化的最佳生长条件为 5 nm 的固体碳源，1000 nm 的 Cu 催化剂，在 1000℃的温度下生长 60 分钟，可以得到高质量的氮掺杂石 墨烯。利用含氮和氟原子的 F16CuPc 作为固体碳源，采用优化的生长条件合成了氮、 氟共掺杂的石墨烯，研究结果表明共掺杂石墨烯具有良好的导电性质。 该论文的研究工作提供了一个新的石墨烯合成方法，直接在绝缘材料上得到 高质量的石墨烯，对制备石墨烯基电子功能器件具有一定的指导意义，有利于对 II II 中文摘要 利用固体碳源在介电层上生长掺杂石墨烯 石墨烯电学性质的理解，同时该研究为掺杂石墨烯的实际应用提供了重要信息。 关键词：石墨烯 固体碳源 无需转移 掺杂和共掺杂 作 者：王琪 指导教师：孙旭辉 教授 Direct Synthesis of Doped Graphene on Dielectric Substrates Using Solid Carbon Sources Abstract Direct Synthesis of Doped Graphene on Dielectric Substrates Using Solid Carbon Sources Abstract Graphene has attracted intense research interests due to its extraordinary physical and chemical characteristics, such as good mechanical strength, high carrier mobility, excellent electrical conductivity, superior thermal conductivity and high transmittance. However, the nature of pristine graphene with zero band gap brings some difficulties for its application in the electronic device field. Doping of graphene with other heteroatoms (e.g., nitrogen, boron, phosphorus, halogen, etc.) is the most practicable, convenient and efficient approach to modulate the band structure and properties of graphene and further extend more useful applications in electronics and electrochemical cells. Various methods of graphene synthesis have been developed, including chemical vapor deposition (CVD), chemi