宽温区叠层热电材料的设计、制作与性能研究-材料学专业论文.docx

浙江大学博士研究生学位论文摘 浙江大学博士研究生学位论文 摘 要 热电材料是一种电能与热Hrs．2__问实现直接转换的新型能源材料。热电材料的性能 与温度有密切联系。不同的热电材料n：1i同的温度范围内性能达到最佳值，因此，沿 温度梯度方向合理地按排不同的热电材料，制成功能梯度或叠层结构材料，可充分利 用各种材料的特长，提高热电转换效率。 本项F作主要包括：1)均质热电栩料Bi2Te3基、FeSi2基以及膺两元合金 (PbTe)l_x(SnTe)。(o≤X曼1)的制备与性能研究，适合于制作梯度功能材料的各种均质 热电材料的筛选；2)异种材质及近乎相同材质叠层材料制备工艺的研究以及热应力 缓和层的研究)；3)采川SEM、EDAX、EMPA、XPS等多种手段，对界面处微观组 织结构、扩散与反应的分析；4)采j{j数学建模计算及实验测量，对两元和多元叠层 热电材料的结构设计以及性能和热稳定性的研究。 本项研究获得了以下主要成果 l、以sn基合金为焊接材料，采用热浸焊技术制备了Bi2Tes／FeSi2叠层热电材料， 并系统地分析研究了叠层热电制料的。l-l：．f1％，焊接过渡层的微观组织结构以及过渡层在 热加工及模拟服役过程中的破坏机制。发现：1)叠层材料具有明显优于均质材料的 热电性能，在490。C温差下，p一型和n．型叠层材料的最大输出功率分别达到37 0和 30 0(mW／cm21，是同类型均质fl-FeSi2的2 5和3倍；2)在焊接过程和190。C长时间 退火处理过程中，焊接过渡层合金和攮体半导体(特别是Bi21b)之间存在明显的元 素相互扩散，从而在过渡层中形成一些低熔点共晶体和脆性化合物，这是导致叠层材 制破坏的主要原因；3)焊接过渡层合金与半导体基体之间的润湿性是影响界面层电 性能的主要因素。 2、在Bj2Te3／FeSi2叠层材料中首次采用粉末冶金方法制备了Ni缓冲层。这～缓 冲层有效地阻碍了过渡层和半导体基体之间的元素扩散，并缓解了由于两种半导体材 料之间热膨胀系数差异而产生的热应力，显著提高了叠层Bi2Te3／FeSi2材料的热稳定 性。同时实验发现，Ni在半导体基体材料中的扩散对叠层材料热电输出功率没有显著 影响。 3、首次采用粉末冶金方法在大成分范围内制备了膺两元合金(PbTe)I。(SnTe)x(X= 0～l 1，并对其热电性能进行了系统研究。实验发现，采用粉末烧结法制备的 (PbTe)I。(snTek腐两元合金具有较低的热导率，在室温下其热导率只有相同成分单晶 浙江大掌博士研究生学位论文材料的1／441／3，Zl：450”C㈨只有I／5左ti。实验测得(P 浙江大掌博士研究生学位论文 材料的1／441／3，Zl：450”C㈨只有I／5左ti。实验测得(Pb7re)o 6(SnTe)o 4膺两元合金在 450。C时的热电优值为五。、=o 4×10‘。／K，接近r单晶合金性能。 4、系统研究r Ag儿索掺杂划脚两几合金(PbTe)l。(SnTe)。热电性能的影响。发现 PbTe合金掺杂200tool ppm的Ag后，电导率在整个温区均有明显增大，尤其在室温 附近的热电性能明显提高。随着膺：／i合金中SnTe含量和测试温度的上升，Ag掺杂 的作用逐渐降低，膺二儿合金的性能逐渐恶化。其原因被认为是由于散射机制的改变、 载流子浓度趋于饱和以及Ag作为间隙原子提供额外施主。因此，通过性能测试及筛 选，掺杂200 molppm Ag含量的j元膺两元合金(PbTc)I。(SnTe)。(0≤x≤O 4)可用 于设计制作叠层材料。 5、通过对Bi2Te3／FeSi2叠层木才料的建模汁算和实验验证，发现Bi2Te3／FeSi2叠 层材料的最佳界面温度约为1900c，当热端温度为515 oC，冷端采用水冷却时所对应 的Bi2Te3／FeSi2最佳长度比为l 10。 6、对多元叠层FeSix／FeSi，材料进行建模计算和分析，发现由不同成分铁硅基合 金组成的叠层热电材料具有优于Bi2re3／FeSi2叠层材料的潜在性能。同时，FeSix／FeSi。 叠层材料还具有热稳定性优越、价廉环保等优点，是一类可用于余热发电的新型叠层 热电材料。 7、通过对膺两元合金(PbTe)l-x(SnTe)。(o≤X≤1)多层叠层材料的优化设计与性 能计算，当冷热端温差约为440。C时，PbTe／(PbTe)o．s(SnTe)o 2}(PbTe)06(SnTe)04叠层材 料的最大输出功率可达21(mW／cm2)，比同类型均质材料提高25％以上。实验测得这 种叠层材料的最大输出功率为18(mW／cm2)，与在相同冷热端温度条件下实测的同类 型均质材料相比，叠层材料的最大输出功率值可提高19％以上。 关键词： 叠层热电材荆， 输运性能