射频磁控溅射HfO2薄膜的电学特性及室温弱铁磁性研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

3．3薄膜成分和界面微结构探测和分析 3．3薄膜成分和界面微结构探测和分析 22 3．3．1 Hf02／Si界面性质TEM测试与分析 22 3．3．2 Hf02／Si界面性质Ⅺ，S测试与分析 23 3．3．3 Hf02／Si界面反应动力学过程探究 ．．24 3．4本章小结 25 第4章射频磁控溅射Hf02薄膜室温弱铁磁性研究 ．．26 奇(， 4．1引言 ： 。26 l’ 4．1．1固体物质磁性的基本特征和类型 26 4．1．2氧化物薄膜弱铁磁性研究现状 28 4．1．3本章工作研究目的和内容 ．3 1 4．2薄膜的制备及后处理 3l 4．3薄膜的室温铁磁性测试与分析 32 4．3．1薄膜饱和磁矩的各向异性 32 4．3．2沉积氛围及退火温度对薄膜弱铁磁性的影响 33 4．4 Hf02薄膜弱铁磁性来源探讨 ．．34 4．4．1氧空位对Hf02薄膜弱铁磁陛的贡献 ．．34 4．4．2晶格(晶界)缺陷对Hf02薄膜弱铁磁性的贡献 ～34 4．5本章小结 36 第5章结论与展望 37 参考文献 ．39 硕士期间发表论文及参加学术活动情况 47 致谢 ．48 西南大学硕士学位论文 西南大学硕士学位论文 摘要 射频磁控溅射Hf02薄膜的电学特性及室温弱铁 磁性研究 凝聚态物理专业硕士研究生：陈显峰 指导教师：邱晓燕 “p q 摘要 随着硅基半导体集成电路集成度的迅猛提高，其基本组成单元金属．氧化物． 半导体场效应晶体管(MOS．FETs)的沟道长度已缩短至U45nm。根据ITRS roadmap 2009年公布的发展规划，在采用新结构、引入新材料的前提下，MOS．FETs将在 2020年进入14nm技术时代。为保持其高的栅极电容，原有的Si02／SiOxNv栅介质层 厚度也随之相应减薄。但是当其厚度减d,至lJlnm时，出现的漏电流增大，驱动电 流减小以及硼(磷)杂质隧穿导致的器件可靠性下降等问题，使得传统Si02／SiOxNv 栅介质层已经不能满足下一代MOS．FETs的要求，寻找新型栅介质材料成为当务之 急。在众多的候选材料中，Hf02因其优良的电学性能以及与当前硅基半导体工艺 较好的兼容性，有望替代Si02／SiOxNv成为下一代MOS．FETs的栅介质候选材料。 本文采用射频磁控方法沉积制备Hf02薄膜，研究不同沉积氛围(纯Ar，Ar+02 和A州2)和后退火处理对其电学性能的影响。利用Agilent4294A高精密阻抗分析 仪和Keithley2400数字万用表测试其MOS电容器结构的电学性能；利用高分辨电镜 和x射线光电子能谱观测其界面微结构。实验测试结果表明，在纯心氛围室温沉积 的Hf02薄膜具有相对较好的电学性能(有效介电常数晶一17．7；平带电压~o．36 V； 1 V栅电压下的漏电流密度--4．15x10～A era-2)。高分辨透射电镜观测和X射线光电 子能谱深度剖析表明，在非晶Hf02薄膜和Si衬底之间生成了非化学配比的HfSiJOv 和HfSi算混合界面层。该界面层的出现降低了薄膜的有效介电常数，而界面层中的 电荷捕获陷阱则导致薄膜电容．电压曲线出现顺时针的回线。 此外，我们还研究了射频磁控溅射制备Hf02薄膜的室温弱铁磁性。本文通过 改变沉积／后退火氛围以及后退火温度，对Hf02薄膜中以氧空位为主的缺陷实施干 预，再利用振动样品磁强计(VSM)测试不同制备条件和后退火处理后薄膜的磁化 曲线。X射线光电子能谱深度剖析测试表明，缺氧氛围(纯时和Ar+N2)中沉积 薄膜是高度氧配比不足的HfOx电薄膜：其饱和磁矩明显高于富氧氛围(Ar+02) 沉积薄膜的饱和磁矩。高真空退火处理使得薄膜的饱和磁矩增大；而纯氧氛围中 的退火处理却使得薄膜的饱和磁矩急剧减小。HfOx2薄膜弱铁磁性对沉积／后退火 氛围的灵敏反应表明薄膜中的氧空位是其弱铁磁性主要来源之一。 关键词：Hf02薄膜；介电性能；弱铁磁性；界面微结构；射频磁控溅射 西南大学硕士学位论文 西南大学硕士学位论文 摘要 Dielectric properties and weak ferromagenetism of Hf02 films deposited by RF magnetron sputtering Maj or：C