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第5章 场效应管放大器 5.1 场效应管  绝缘栅场效应管  结型场效应管 5.2 场效应管放大电路  效应管放大器的静态偏置  效应管放大器的交流小信号模型  效应管放大电路 5.1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(i ~ i )，工作时，多数载流 B C 子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管 （Field Effect Transistor简称FET ）是一种 电压控制器件(u ~ i ) ，工作时，只有一种载流子参与 GS D 导电，因此它是单极型器件。 FET 因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入 电阻极高等优点，得到了广泛应用。 N沟道 增强型 绝缘栅场效应管 P沟道 FET分类： 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 结型场效应管 P沟道 一. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管( Metal Oxide Semiconductor FET)， 简称MOSFET 。分为： - 源极s 栅极g 漏极d 增强型 →N沟道、P沟道 - - 耗尽型 →N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 N + N + （1）结构 4个电极：漏极D ， P衬底 d 源极S，栅极G和衬底B 。 - g - 衬底b 符号： - - b - s （2）工作原理 ①栅源电压uGS 的控制作用 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在 d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 V 当uGS ＞0V时→纵向电场