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第二章 热氧化 集成电路工 艺 原 理 比色法 (oxide film color chart)由于光的干涉作用，不同的氧化层呈现不同反射色，反射色按厚度周期性变化(1微米以下可以测量，750nm以上就不明显了) 第二章 热氧化 集成电路工 艺 原 理 光干涉法（INTERFEROMETRY） 由光的相干原理，膜表面与界面反射二束光相干涉。由光学原理，两束光的光程差为入射光的半波长整数倍时出现加强的亮度，则膜厚为 N 二氧化硅折射率 :入射光波长 如纳光 =589.6nm M:干涉条纹数 第二章 热氧化 集成电路工 艺 原 理 椭偏法(ELLIPSOMETRY) 单色光经过起偏器变成偏振光，再经1/4波长片变成椭圆偏振光，照射样品，经过膜的反射、检偏振器后，变成单色光进入光电管接收。两个相互垂直的偏振光的分量的振幅与相位变化是与膜厚度及折射率有关，查图表可得到厚度。 2 第二章 热氧化 集成电路工 艺 原 理 椭偏法(ELLIPSOMETRY) 椭偏法是一种非常精确、非常灵活的测试方法 厚度测量: 测量结果给出周期型的厚度结果 需要知道薄膜的一些性质 多种波长测量 厚度和折射率（refraction index): 可以同时测量出材料的厚度和折射率 多种薄膜 -可以用多波长和多角度来决定多层薄膜的厚度 第二章 热氧化 集成电路工 艺 原 理 Review 热氧化方法有哪些？ 生长超薄(10nm)氧化物的方法 Si/SiO2界面特性中的四种电荷？ 氧化膜中钠离子含量测定？ 氧化膜厚度测量方法？ * * 尽管SiO2是非晶态，但仍然存在短程有序（short range order).结构分子式可写为SiO44-.Si原子，正四价，位于正四面体的中央，氧离子（负2价），位于4个角上。Si和氧正四面体的间距为1.62A, 氧和氧间距为2.27A. 对结晶SIO2，四面体之间由桥连氧相连；对非晶态SIO2，很多四面体之间有非桥连氧原子，这些氧原子没有共享。 玻璃中原子运动大多是氧原子运动，而不是硅原子运动；因为施放一个Si原子需要打破四个Si－O键；而施放一个桥连氧原子，仅需打破两个Si－O键。 * 非晶SiO2的结构是正四面体的任意网络。 * 氧化系统是半导体工艺中最简单的设备。但是事实上，由于考虑到均匀性，可重复性，以及工艺中的清洁性，这些系统还是比较复杂。现代的炉子可以达到装几百片8英寸硅片，温度均匀性在0.5度左右。 * 60年代Qm是一个很严重的问题，在70年代经过清洗工艺的改进，这个问题在70年代大部分消失，但是即使在今天仍然是一个问题。 * 60年代Qm是一个很严重的问题，在70年代经过清洗工艺的改进，这个问题在70年代大部分消失，但是即使在今天仍然是一个问题。 * Qit is likely due to some type of imcompletely oxidized silicon atom with unsatified or dangling bonds located in the oxide, but very close to the interface.. Qit 可能改变其电荷态，因为在正常器件工作时，可以作为陷阱捕获空穴或电子，所以电荷态可为正或负。这些trap 类似于一些深能级。 * Qit is likely due to some type of imcompletely oxidized silicon atom with unsatified or dangling bonds located in the oxide, but very close to the interface.. Qit 可能改变其电荷态，因为在正常器件工作时，可以作为陷阱捕获空穴或电子，所以电荷态可为正或负。这些trap 类似于一些深能级。 * 硅的表面原子密度1015cm-2。Qf被成为固定氧化物电荷是因为它的电荷态在器件正常工作过程中不发生改变。 Qf和Qit两者的物理机制比较相似。 * 硅的表面原子密度1015cm-2。Qf被成为固定氧化物电荷是因为它的电荷态在器件正常工作过程中不发生改变。 Qf和Qit两者的物理机制比较相似。 * Qot 在这些年来受到重视。因为在小尺寸器件中，电场很高，这些高电场使电子具有更高能量，可以达到注入到栅氧化层中的能量。如果存在oxide trap，或者是由于电子注入，会发生 charge trapping,使得器件阈值电压随时间漂移。 * Qot 在这些年来受到重视。因为在小尺寸器件中，电场很高，这些高电场使电子具有更高能量，可以达到注入到栅氧化层中的能量。如果存在oxide trap，或者是由于电子注入，会发生 ch