硫酸铟遗传毒性机制及Vc拮抗作用的研究-劳动卫生与环境卫生学专业论文.docx

I I IIi l l II I I IIi r 11 11 1 III }Y1 926 1 25 苏州大学学位论文使用授权声明 本人完全了解苏州大学关于收集、保存和使用学位论文的规定， 即：学位论文著作权归属苏州大学。本学位论文电子文档的内容和纸 质论文的内容相一致。苏州大学有权向国家图书馆、中国社科院文献 信息情报中心、中国科学技术信息研究所(含万方数据电子出版社)、 中国学术期刊(光盘版)电子杂志社送交本学位论文的复印件和电子 文档，允许论文被查阅和借阅，可以采用影印、缩印或其他复制手段 保存和汇编学位论文，可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数 据库进行检索。 涉密论文口 本学位论文属 在．——年一月解密后适用本规定。 非涉密论文曰 论文作者签名：蚴聋皇显 日 期： 丝丛生! 导师签名： 娅终 日 期：2芝么：幺：兰么 硫酸铟遗传毒性机制及vc拮抗作用的研究 硫酸铟遗传毒性机制及vc拮抗作用的研究 中文摘要 中文摘要 目的：铟(indium，In)是一种稀散金属元素，因其具有独特的物理和化学 性能，近年来已经被广泛地应用，成为现代电子工业中必不可少的功能材料 之一。吸收入血的铟迅速转运到软组织和骨骼。胶体状的铟被白细胞吞噬后 送到肝和脾的网状内皮系统。进入体内的铟主要经尿及粪从体内排出，其经 尿排泄过程可分两个时期开始为快排泄期，大约为20天，然后则为长时间的 缓慢排泄期，可达数月或数年。铟的可溶性化合物都是有毒的，硫酸铟(indium sulfate)是具有代表性的铟的可溶性化合物，是铟冶炼作业过程中工人接触的 主要职业危害因素之一。 本实验旨在研究体外实验条件下硫酸铟对V79细胞DNA和染色体的损伤 效应，探讨硫酸铟的遗传毒性，并从细胞内活性氧(ROS)的释放和线粒体 膜电位(Arm)变化方面研究硫酸铟引起V79细胞损伤的机制以及维生素C(Vc) 对该损伤的拮抗作用，以寻找有效的拮抗剂，为今后做好铟环境暴露的预防工作， 保护职业接触人群提供部分相关资料。 方法：本研究分为三个部分。第一部分：以V79细胞为研究对象，通过 MTT法研究硫酸铟对细胞的一般毒性，观察不同浓度硫酸铟染毒不同时间时 细胞存活率的变化，并了解浓度．时间．毒性效应之间的关系，为后期深入研究 提供理论依据；第二部分：在第一部分确定的硫酸铟染毒剂量范围内，观察 不同时间，不同浓度下硫酸铟对细胞内DNA及染色体的影响，用单细胞凝胶 电泳(SCGE)技术，观察硫酸铟对V79细胞DNA的损伤情况，并计算微核率 和微核细胞比率，观察硫酸铟对V79细胞染色体的影响；第三部分：在第二部 分的基础上，从细胞内活性氧(ROS)的释放和线粒体膜电位(Arm)变化方面 深入探讨硫酸铟致DNA和染色体损伤的作用机制，并研究vc的拮抗作用，观 察在Vc存在的条件下，硫酸铟对V79细胞DNA损伤的变化。 结果：硫酸铟从0．5 mmol／L开始即对V79细胞生长产生抑制作用，细胞 存活率呈浓度．时间依赖性降低，当硫酸铟浓度为1mmol／L时，V79细胞丌始发 生形态学改变，浓度为8mmol／L时，细胞存活率大幅度降低。在硫酸铟作用下， 中文摘要 中文摘要 硫酸铟遗传毒性机制及Vc拮抗作用的研究 细胞内DNA出现损伤，拖尾率，Tail DNA％，尾长，Olive尾矩随染毒浓度增 大而增加，同时染色体出现变化，细胞微核率和微核细胞比率也随染毒浓度增 大而增加；在硫酸铟的作用下，细胞内活性氧(ROS)增多，线粒体膜电位(Arm) 下降，两者与硫酸铟浓度呈剂量．效应关系；一定浓度的Vc在一定程度上拮 抗硫酸铟引起的V79细胞DNA损伤，可能与拮抗硫酸铟所致V79细胞内ROS 增加和Aym下降有关。 结论：本研究结果显示：硫酸铟低浓度、短时间染毒即可明显抑制V79细胞 增殖；硫酸铟可以引起V79细胞DNA和染色体的改变，具有明显的遗传毒性；硫 酸铟引起V79细胞内ROS增加和Aym下降，表明硫酸铟能通过氧化作用，损伤 V79细胞DNA结构，以及影响细胞内线粒体的稳定性，造成细胞凋亡。一定浓度 的Vc可以在一定程度上拮抗硫酸铟引起的细胞内ROS的增加和△、I，m的下降， 拮抗DNA损伤效应。综合结果，本文认为硫酸铟通过增加细胞内活性氧的释放， 破坏细胞DNA和染色体的正常结构