利用一步法电沉积制备CIGS薄膜的工艺研究-信息与通信工程;通信与信息系统专业论文.docxVIP

位论文原创性声明论文，是本人在导师指导下进行研究工作所 位论文原创性声明 论文，是本人在导师指导下进行研究工作所 引用的内容外，本学位论文的研究成果不包 者没有公开发表的作品的内容。对本论文所 涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本 学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。 学位论文作者签名： 王蟹 咽 2011年5月 27日 非公开学位论文标注说明 (本页表中填写内容须打印) 根据南开大学有关规定，非公开学位论文须经指导教师同意、作者本人申 请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文，公开学位论文本 说明为空白。 论文题目 申请密级 口限制(≤2年) 口秘密(≤lO年) 口机密(≤20年) 保密期限 20 年 月 日至20 年 月 日 审批表编号 批准日期 20 年 月 日 南开大学学位评定委员会办公室盖章(有效) 注：限制★2年(可少于2年)：秘密★10年(可少于10年)：机密★20年(可少于20年) 量级，是 量级，是 CIGS薄 光伏界研 了制备出 基磺酸作 为溶液缓冲剂，这种体系可以有效制备出CIGS光伏器件，但是这种体系制备的 CIGS薄膜结晶性能不好，还需要经过后期的PVD处理才能制备光伏器件，这 增加了电沉积的成本，为了解决这些问题，本论文选用了其它的络合剂，分析 络合剂浓度以及沉积电位对薄膜的影响，与邻苯和氨基磺酸体系作对比并分析 了其反应机理。本文还分别研究了PVD处理过程中硒蒸发温度和衬底温度对薄 膜的影响，通过实验选择其最佳的工艺参数。 本论文选用了柠檬酸和柠檬酸钠作为络合剂，实验中采用三电极体系，在 由CuCl2，InCl3，GaCl3，H2Se03组成的酸性水溶液中，对Mo／玻璃衬底上进行一 步法电沉积，分别分析了络合剂浓度和不同的沉积电位对沉积薄膜的影响，通 过XRF测试，发现沉积出来的CIGS薄膜不含有Ga，为了分析其原因，分别对 络合剂对溶液的一元、二元、三元、四元体系的影响进行了研究，最终认定可 能的是原因是络合剂抑制了Ga3+的还原反应。 本论文通过实验确定以柠檬酸钠和柠檬酸为络合剂制备的CIGS薄膜成份 不理想，无法制备光伏器件，最终选用邻苯和氨基磺酸体系制备CIGS薄膜，并 对沉积CIGS薄膜的PVD处理进行研究，分别研究了Se源温度和衬底温度对 CIGS薄膜的影响，通过实验发现，PVD热处理的最佳的Se源温度和衬底温度 分别在230℃和560℃左右，通过这种工艺的处理，制备出的CIGS薄膜表面比 较均匀，结晶颗粒大，致密性好，可以制备成品电池，最终制备效率为5．9％的 电池。 关键词：CIGS薄膜太阳电池络合剂一步法电沉积 one-step one-step electrodeposition．Complexing agent is a necessity in fabricating qualified CIGS thin film,potassium hydrogen phthalate and Sulfamic acid ar e two kinds of complexing agent used in the laboratory．But the crystallization property of CIGS fabricated with these agents is too poor to make photovoltaic devices，SO PVD is needed，but this step increase the cost．To solve this problem，we use another complexing agent，and analyze impact of the concentration of eomplexing agent and the deposition potential．on the films．We compare it with the Potassium hydrogen phthalate and Sulfamic acidc system to analyze the reaction mechanism．We studied the influence of the Se source temperature and substrate temperature on CIGS film to choose the best parameters． We chose Nitric acid and Sodium Citrate as complexing agents and adopt three electrodes system i