六硼化镧薄膜的制备及发射特性研究 光学工程专业论文.docxVIP

分类号 密级 UDC 注1 学 位 论 文 六硼化镧薄膜的制备及发射特性研究 （题名和副题名） 朱炳金 （作者姓名） 指导教师姓名 陈泽祥 副教授 电子科技大学 成 都 （职务、职称、学位、单位名称及地址） 申请专业学位级别 硕士 专业名称 光学工程 论文提交日期 2008.4 论文答辩日期 2008.5 学位授予单位和日期 电子科技大学 答辩委员会主席 评阅人 2008 年 月 日 注 1：注明《国际十进分类法 UDC》的类号。 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘要 摘 要 阴极是电子源的核心部件。随着电子源在各领域的广泛应用，对电子源的要 求越来越高，相应地，对阴极的要求也越来越苛刻。如要求发射电流密度大、束 流品质好的电子源,以获得很高亮度的电子束。目前阴极的实现方案很多，其中在 材料基底上敷膜的薄膜阴极的方法既可利用基底本身的物理、结构特性，又可利 用膜材料的物理化学性能，是一种有效的提高阴极性能的方法。 薄膜阴极就是在阴极表面上沉积其他材料的薄膜，以进一步的降低阴极表面 功函数。因此薄膜材料的选择至关重要，主要考虑材料的功函数、电导率、密度、 热稳定性、化学稳定性等各种因素，而六硼化镧作为一种高熔点、耐离子轰击、 抗氧化、导热、导电、化学和物理稳定性极好的优质阴极电子发射材料，使之成 为薄膜阴极实现方案中理想的薄膜材料。 本文通过电泳法和电子束蒸发法分别在金属铼和硅尖锥阵列上实现六硼化镧 薄膜的制备，研究适合于热阴极和冷阴极不同要求的 LaB6 薄膜阴极制备工艺。论 文围绕这两个部分，分别对六硼化镧薄膜的电泳制备工艺、电子束蒸发制备工艺、 硅尖锥阵列的制备工艺进行了重点研究，获得了比较理想的工艺参数。最终成功 制备了多晶六硼化镧薄膜。通过扫描电子显微镜（SEM）和 X 射线衍射（XRD）对 薄膜的表面形貌和结构进行了分析，结果表明：电泳沉积薄膜的退火后，薄膜表 面相对平整，结晶程度明显提高；而电子束蒸发沉积薄膜的晶粒均匀、致密，膜 表面非常平整，100面有择优生长现象，晶粒尺寸随着基底温度的升高而增大， 结晶度逐步升高。 论文对铼基底的六硼化镧薄膜阴极及硅阵列薄膜阴极分别进行了热发射特性 和场发射特性测试，并对测试结果进行了详细的分析和讨论。铼基底的薄膜阴极 热电子发射特性及电流发射稳定性的测试表明：薄膜阴极在 2×10-4Pa 的真空度下， 薄膜阴极温度为 1200℃时，可以得到 0.44A/cm2 的电流密度，发射寿命达到 40 小 时。热发射稳定性测试中发现：真空度对 LaB6 薄膜的热电子发射能力有一定的影 响，随着真空度的降低，阴极发射电流逐渐减小，而且，发射电流波动幅度增大。 根据 Richardson 直线法，得到六硼化镧薄膜的功函数为 2.56eV，在六硼化镧功函 数理论范围内。而硅尖锥及不同的真空度下阵列薄膜的场致发射 I-V 特性及电流 发射稳定性的测试结果表明：真空度为 8×10-5Pa，阳极电压为 1650V 时，沉积 LaB6 I Ⅱ Ⅱ 摘要 的薄膜阴极阵列的发射电流总发射电流达到 125μA，是相同条件下纯硅尖锥阵列 125 倍，可以得到电流密度为 3.1mA/cm2 的场发射电流。测试中硅阵列六硼化镧薄 膜具有良好的场发射稳定性：30 分钟测试时间段内除了开始阶段波动较大，发射 电流基本稳定在 18～24μA，并最终稳定在 20μA 左右。通过对六硼化镧薄膜阵列 场发射的分析，结果表明，硅尖阵列硼化镧薄膜冷阴极具有高发射电流、高稳定 性的特点，是一种较为理想的冷阴极实现方案。 关键词：薄膜阵列，六硼化镧，硅尖锥阵列，薄膜阴极，电泳法,电子束蒸发. PAGE PAGE IV ABSTRACT ABSTRACT Cathode is the key component of electron source. As the extensive