光谱学第八章2011.pptVIP

199Hg和201Hg同位素位移谱线及相应的能级跃迁 对于引起同位素位移的原因，人们首先想到的就是原子核的质量效应，这是由于同位素的核质量不同会引起里德伯常数的不同，使得原子的能级发生位移，从而引起光谱线发生位移。 8.3.2 理论解释 可见，对于不同同位素的相同电子跃迁的光谱线，原子量大的同位素，其谱线的波数较大。 这种现象，称为同位素光谱线的质量位移效应。 上述结果是对单电子原子而言的，对于多电子原子，情况较为复杂，但实验结果表明，（8.16）和（8.17）式仍近似成立。 由于波数相对位移 ～1/M2 因此，重元素的同位素位移很微小，氢同位素因为原子量最小，同位素位移的效应最大，用普通的光谱仪就可以观察到氢和氘的谱线位移。 上述理论认为，同位素位移量随着原子核质量的变大而减小。 实验结果表明，在原子序Z较小时，同位素位移确实随着Z的增大而减小。但是对于原子序很大（Z＞40）的元素，实验发现，其同位素位移却是随着核质量M增大而增大。 显然，这种现象不能用核质量效应来解释。 泡利等人提出，对于原子序较大的原子，其同位素位移将是核体积效应起主要作用。 半径为r0的原子核的势能曲线 对于最简单的情况，假设原子核具有球对称的电荷分布，且电荷在半径为r0的球内是均匀分布的。 实线部分表示作用在电子上的静电势，虚线部分表示点电荷的势能。 任意r处两者的势能差为δV（r），如图所示。为此对应于球对称电荷密度分布ρe（r），其两者的能量差可表示为 （8.18） 这里假设两个势能曲线的ρe（r）是相同的，因而δE表示一级微扰能量。 对于质量数分别为A和A+ΔA的两种不同的同位素，两者的势能差为ΔδV，则一级能量差为 （8.19） 在典型情况下，理论估计它的数量级为100cm-1，实际观察到的同位素位移ΔδE的大小在0.005到1 cm-1量级。 下面分析一下同位素位移与原子核几何大小的依赖关系。如果ρe（r）是由薛定谔函数 导出的，那么在原子核内它实际上是一个常数。 光谱项的同位素位移可以写成仅依赖于电子态的因子 和核因子C的乘积，而核因子C仅取决于两个同位素核的性质。上述关系可表示为 （8.20） 用量子力学方法可以求得 （8.21） F(Z)是与同位素性质有关的因子 ,它的大小接近于1的量级 球形核的同位素系数C的计算值 从式（8.20）和（8.21）可以看出，同位素位移随核电荷及半径的增加而增加。 此外，只是同位素的核自旋I=0的，这种同位素的谱线才没有超精细结构； 对于核自旋（I≥1/2）不为零的同位素，其谱线还要分裂成超精细结构。 在此以前，我们把原子核电荷当作点电荷或球对称分布电荷来对待。核物理的实验资料证明，核有一定的大小，而且核电荷的分布至少是旋转椭球形，在少数特殊情形中是球形。 核电荷的分布偏离球形时，原子中电子的能量就受到偏离的附加影响，此影响会在光谱的超精细结构中表现出来。 精品课件！ 8.1实验现象 当用分辨率很高的仪器（如干涉分光仪、大型凹面光栅的高阶光谱、高分辨率激光光谱技术）来观察原子的各个多重线（即精细结构）的谱线时，发现每条谱线还可分为许多靠得非常近的谱线，这种分裂称为超精细结构。 精细结构的相邻两条谱线间隔一般在0.1nm至几个nm甚至更大的范围。 而超精细结构相邻两条谱线间隔约为0.001nm-0.01nm数量级。 镨（原子）若干谱线的超精细结构 实验上最早观察到光谱线超精细结构的是迈克尔逊、法布里和珀罗等人。 当初人们认为这种超精细结构是因为各种原子有若干不同同位素存在引起的。 但是，后来发现即使对于没有同位素的原子，如Bi、Pr原子的光谱也能观察到超精细结构，而用同位素效应无法解释。 理论上对超精细结构作出解释的是泡利提出的原子核自旋假说。 另外，某些有多种同位素的原子，同位素效应会引起谱线位移，也出现多条谱线。 铀（U）原子λ=424.44nm的同位素位移光谱 同位素效应的多重线，其机理与核自旋引起的谱线分裂不同。 但是这两种效应所引起的多重线出现，相邻两条谱线间隔在相同的数量级之内，所以两者通常统称为超精细结构。 8.2原子核自旋及其磁矩 8.2.1 核自旋及磁矩 与电子自旋的情况相类似，原子核也有一个自旋角动量 ，它的大小根据量子力学的结果表示为： I称为核自旋量子数，它可以是整数或半整数。 （8.1） 原子的核子数（即原子核中质子数和中子数之和）为偶数的，I为整数； 核子数为奇数的，I为半整数； 而核中的质子数和中子数均为偶数的，I=0； 对于核中只是一个质子的氢原子，I=1/2。 对于不同的原子，I取值不同 对于氢原子，核自旋产生的磁矩 的大小可以表示为：